ЛЕКЦИЯ № 1. Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии

1.1. Концептуальная диаграмма

1.2. Диапазоны волн, используемые в телекоммуникации, необходимость использования микроволнового диапазона

1.3. Достоинства и недостатки использования микроволнового диапазона

1.4. Статический и динамический принципы управления преобразованием энергии

1.5. Особенности динамического принципа управлении преобразованием

1.6. Классификация приборов микроволнового диапазона

1.7. Контрольные вопросы

Практическое задание №1

ЛЕКЦИЯ № 2. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников

2.1. Концептуальная диаграмма

2.2. Зонная структура состояний электронов в твердом теле

2.3. Свободные носители зарядов в полупроводниках

2.4. Равновесная концентрация СНЗ в примесных и беспримесных полупроводниках

2.4.1 Равновесная концентрация зарядов в собственном полупроводнике

2.4.2. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике

2.4.2.1. Полупроводник с донорной примесью

2.4.2.2. Полупроводник с акцепторной примесью

2.5. Движение СНЗ в электрическом поле

2.6. Дрейфовая скорость, подвижность

2.7. Контрольные вопросы

Практическое задание №2

ЛЕКЦИЯ № 3. p-n переход в равновесном и неравновесном состоянии

3.1. Концептуальная диаграмма

3.2. Электрические переходы

3.3. Условие равновесия электрического перехода. Перенос заряда в электрическом переходе, ток диффузии, ток дрейфа, ток рекомбинации

3.4. Электрические и геометрические параметры p-n перехода

3.4.1. Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов

3.4.2. Соотношение между концентрациями

3.4.3. Ширина запирающего слоя

3.4.4. Вольтамперная характеристика p-n-перехода

3.4.5. Статическое и дифференциальное сопротивления

3.4.6. Барьерная емкость

3.4.7. Диффузионная емкость

3.5. Способы нарушения равновесия

3.6. Уравнение тока через p-n переход

3.7. Контрольные вопросы

Практическое задание №3

ЛЕКЦИЯ № 4. Свойства p-n перехода на микроволновом диапазоне

4.1. Концептуальная диаграмма

4.2. Эффект накопления заряда

4.3. Диоды с накоплением заряда

4.4. Технологические особенности изготовления диодов СВЧ диапазона

4.5. Контрольные вопросы

Практическое задание №4

ЛЕКЦИЯ № 5. Туннельный диод

5.1. Концептуальная диаграмма

5.2. Процессы, происходящие в полупроводнике в случае туннельного эффекта

5.3.Вольт-амперная характеристика туннельного диода

5.4. Параметры, применение

5.5. Контрольные вопросы

Практическое задание №5

ЛЕКЦИЯ № 6. Диод Шоттки, p-i-n диод

6.1. Концептуальная диаграмма

6.2. Принцип действия, параметры и характеристики диода Шоттки и р-i-n диода

6.2.1. Диод Шоттки

6.2.2. p-i-n диод

6.3. Контрольные вопросы

Практическое задание №6

ЛЕКЦИЯ № 7. Лавинно-пролетный диод

7.1. Концептуальная диаграмма

7.2. Лавинное умножение носителей

7.3. Пролетный режим работы ЛПД

7.4. Параметры и характеристики, особенности устройства и применения ЛПД

7.5. Контрольные вопросы

ЛЕКЦИЯ № 8. Диод Ганна

8.1. Концептуальная диаграмма

8.2. Междолинный переход электронов

8.3. Объемное отрицательное сопротивление

8.4. Режимы работы. Характеристики и параметры диода Ганна

8.4.1. Доменные режимы работы

8.4.1.1. Пролетный режим генератора

8.4.1.2. Режим с задержкой образования домена

8.4.1.3. Режим с подавлением домена

8.4.2. Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ)

8.4.3. Гибридный режим

8.4.4. Параметры диода Ганна

8.5. Контрольные вопросы

Практическое задание №7

ЛЕКЦИЯ№ 9. СВЧ транзисторы

9.1. Концептуальная диаграмма

9.2. Биполярные микроволновые транзисторы. Геометрия, характеристики и параметры

9.2.1. Геометрия биполярного транзистора СВЧ

9.2.2. Основные характеристики и параметры СВЧ-транзисторов

9.2.2.1. Граничная частота

9.2.2.2. Коэффициент усиления и максимальная частота генерации

9.2.2.3. Коэффициент шума

9.3. Высокочастотные полевые транзисторы. Характеристики и параметры

9.4. Контрольные вопросы

Практическое задание №8

ЛЕКЦИЯ №10. Полупроводниковые приборы оптического диапазона

10.1. Концептуальная диаграмма

10.2. Физические основы работы квантовых приборов оптического диапазона

10.2.1. Квантовые переходы

10.2.2. Ширина спектральной линии

10.2.3. Возможность усиления электромагнитного поля в квантовых системах

10.3. Особенности создания инверсной населенности

10.4. Полупроводниковый инжекционный лазер, устройство, применение

10.5. Лазеры на гетеропереходах, устройство, применение

10.6. Контрольные вопросы

Практическое задание №9

Перейти к тестированию

Основные обозначения

Приложение

Литература