Практическое занятие №8
Особенности транзисторов СВЧ диапазона
1. Задание
fгp = 1/2pt кп
где t кп - время пролета носителей через коллекторном переходе. Напряженность поля Е в переходе такова, что дрейфовая скорость носителей принимает свое максимальное значение, равное vдр=105м/с. Значение граничной частоты определите для транзистора с концентрацией акцепторной примеси в базе Nа=1015см-3. К коллекторному переходу приложено обратное напряжение Uoбр =1В. Nдк -значение концентрации донорной примеси в коллекторе.
fmax = 1/2ptпр
Определите fмаx для полевых транзисторов, изготовленных из GaAs, Si, Ge, если активная длина канала транзистора L = 2,5 мкм. Проделав вычисления, укажите предпочтительный материал, для изготовления полевых транзисторов.
2. Исходные данные
Вариант |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
|||||||||
материал |
Кремний |
Германий |
|||||||||||||||||
Температура |
300 К |
||||||||||||||||||
Nа/Nдк |
0,3 |
4 |
0,2 |
30 |
0,03 |
40 |
50 |
0,05 |
0,3 |
300 |
3. Порядок расчета
3. По данным таблицы вычисляется ширина коллекторного перехода. Тип носителей заряда, скорость дрейфа которых следует найти, определяется на основе типа примеси, введенной в базу.
4.Для решения воспользуйтесь конспектом лекций. Значения дрейфовой скорости насыщения приведены в приложении.