Назад Вперёд

2.6.    Дрейфовая скорость, подвижность

 Электроны и дырки в кристалле находятся в состоянии хаотического теплового движения. При возникновении электрического поля на хаотическое движение накладывается компонента направленного движения, обусловленного действием этого поля. В результате электроны и дырки начинают перемещаться вдоль кристалла — возникает электрический ток, который называют дрейфовым током.

При движении в полупроводнике электроны периодически сталкиваются с колеблющимися атомами кристаллической решетки. Обозначив среднее время свободного пробега электронов  и полагая, что движение электронов в промежутке между столкновениями является равноускоренным, а при столкновении с решеткой они теряют приобретенную под действием поля скорость, получим выражение для средней направленной скорости электронов в полупроводнике, называемой скоростью дрейфа:

                                                                                          (2.15)

где q=1,6.10-19 Кл — заряд электрона.

Величина

                                                                                                   (2.16)

называется подвижностью электрона проводимости.

Тому же значению (2.15) будет равно и среднее по всему коллективу значение направленного движения. Таким образом, скорость дрейфа пропорциональна напряженности поля.

Аналогичные рассуждения приводят к следующим выражениям для скорости дрейфа и подвижности дырок:

                                                                                            (2.17)

и

                                         

Подвижность дырок в полупроводнике определяется средней направленной скоростью дырок νρ , приобретаемой под действием электрического поля Е.

 Подвижность электронов зависит от свойств кристаллической решетки, наличия примесей и температуры. При комнатной температуре подвижность электронов в германии, как показывают измерения, равна 3900 см2/(В.с), а в кремнии — 1350 см2/(В.с). С ростом температуры вследствие усиления тепловых колебаний решетки подвижность электронов уменьшается. Примеси не оказывают существенного влияния на величину подвижности при невысоких концентрациях (до 1015-1016 см-3). При более высоких концентрациях подвижность носителей заряда начинает снижаться вследствие рассеяния электронов на ионах примеси. При слабых полях (до 100 В/см в германии) подвижность не зависит от напряженности электрического поля. При значительном увеличении напряженности поля и соответственно дрейфовой скорости электронов эффективность их взаимодействия с решеткой возрастает, электроны теряют во время столкновений относительно большую энергию и их         подвижность начинает снижаться.  В германии при напряженности поля порядка 8 кВ/см подвижность уменьшается пропорционально 1/E и с повышением напряженности поля дрейфовая скорость электронов более   не   возрастает,   достигнув   максимального   значения   vmax = 6.106 см/с. При напряженности поля порядка 100 кВ/см возникает лавинная ионизация атомов решетки, число носителей заряда  и ток резко возрастают,  наступает пробой  полупроводника.

В кремнии   максимальное    значениедрейфовой   скорости   vmax = 8,5.106  см/с.

Подвижность дырок, по данным измерений, значительно ниже подвижности электронов. С ростом температуры подвижность дырок снижается несколько быстрее, чем подвижность электронов.

Назад Вперёд