 |
 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
|
|
ПРИЛОЖЕНИЕ
Некоторые свойства полупроводниковых материалов, используемых в СВЧ электродах
|
Параметр |
Si |
GaAs |
InP |
Ge |
|
|
Плотность атомов N, см-3 |
5 Ч 1022 |
2,21Ч 1022 |
2 Ч 1022 |
4,42 Ч 1022 |
|
|
Диэлектрическая проницаемость e , отн.ед |
11,8 |
10,9 |
12,1 |
16 |
|
|
Температура плавления tпл, ° С |
1420 |
1238 |
1062 |
937 |
|
|
Теплопроводность l тп, Вт/(смЧ ° С) |
1,45 |
0,46 |
0,68 |
0,64 |
|
|
Ширина запрещенной зоны D W, эВ |
1,12 |
1,43 |
1,4 |
0,67 |
|
|
Собственная концентрация носителей заряда n |
1,6 Ч 1010 |
1,1 Ч 107 |
2 Ч 107 |
2,5 Ч 1013 |
|
|
Подвижность в слабых полях см2/(сЧ В) |
|
1500 |
8500 |
4800 |
3900 |
|
|
600 |
400 |
150 |
1900 |
|
|
Дрейфовая скорость электронов в сильных полях vнас, см/с |
1 Ч 107 |
1 Ч 107 |
1,5 Ч 107 |
6 Ч 106 |
|
|
Работа выхода j , эВ |
4,8 |
4,7 |
4,4 |
4,4 |
|
|
|
