A₂₁ -

коэффициент Эйнштейна для спонтанных переходов

a_j -

полная вероятность спонтанного переходя с уровня i на все нижние

b -

коэффициент неидеальности

B_{21 ,} B₁₂ -

коэффициенты Эйнштейна для вынужденных переходов с излучением и поглощением энергии соответственно

C₀ -

статическая   емкость   диода, удельная емкость коллектора

C_0б -

барьерная емкость при U=0

C_mах -

максимальная емкость p-n-перехода

С_K -

емкость коллекторного перехода

C_б -

барьерная емкость

C_диф -

дифференциальная диффузионная емкость

C_кор -

емкость корпуса

D_n , D_p -

коэффициенты диффузии электронов и дырок

E -

напряженность поля

E_п -

пороговая напряженность поля

f -

частота

f_mаx -

максимальная частота генерации

f_гр -

граничная частота

f_пред -

предельная частота

G -

отрицательная дифференциальная проводимость

h -

постоянная Планка

I -

интенсивность излучения

I₀ -

обратный ток, ток насыщения, тепловой ток

I₁ -

максимальный прямой ток

I₂ -

минимальный прямой ток

I_max -

максимально-допустимый ток

I_{n дp}  -

электронная составляющая тока дрейфа

I_{n диф} -

электронная составляющая диффузионного тока

I_{p диф} -

дырочная составляющая диффузионного тока

I_{p др} -

дырочная составляющая тока дрейфа

I_диф -

диффузионный ток

I_др -

ток дрейфа

I_ном -

номинальный рабочий ток

I_пор-

пороговый ток

I_рек -

ток рекомбинации

I_т -

суммарный туннельный ток

i_л(t) -

импульс лавинного тока

i_нав -

наведенный ток

j_др -

плотность дрейфового тока

K_ш -

коэффициент шума

К_р -

коэффициент усиления по мощности

k -

постоянная Больцмана, волновое число

L -

индуктивность, длина канала

L_n , L_p -

диффузионная длина электронов и дырок

l_б -

толщина базы

l_к -

толщина коллекторного перехода

l_м  -

толщина медной подложки

l_п -

толщина подложки

l_стр -

толщина полупроводниковой структуры

l_э -

ширина эмиттерной полоски

M -

коэффициент умножения

m_n ,m_p -

эффективные массы электрона и дырки

Ν -

полное число частиц

N_a -

концентрация ионизированных атомов акцепторной примеси

N_i  -

населенность  уровня i

N_д -

концентрация ионизированных атомов донорной примеси

N_пр -

эффективная плотность состояний  в зоне проводимости

n₀ -

полная концентрация электронов

n₂₁ -

число переходов с уровня 2 на уровень 1

n_i -

концентрация электронов в собственном полупроводнике

P₀ -

мощность потребляемая от источника

Р₂₁  -

мощность излучения

Р_выд­-

выделяемая мощность

P_вых -

выходная  мощность

Р_{пред ­}-

предельное значение мощности

P_пoгл -

поглощаемая мощность

P_ш -

мощность теплового шума

P_шc -

мощность собственных шумов транзистора

p -

вероятность

p_i -

концентрация дырок в собственном полупроводнике

p_n ,n_n -

концентрация носителей в n-области

p_p ,n_p -

концентрация носителей в  p-области

q -

заряд электрона

R₀ -

сопротивление образца; сопротивление в слабом поле

R_cи -

дифференциальное выходное сопротивление

R_i -

динамическое (отрицательное) сопротивление

R_диф -

дифференциальное сопротивление

r_з -

сопротивление металлизации затвора

R_зи -

сопротивление части канала между истоком и затвором

R_и-

сопротивление части эпитаксиального n-слоя на участках исток - затвор

R_н -

сопротивление нагрузки

R_ст -

статическое сопротивление

r₀ -

удельное сопротивление базы

r_s -

сопротивление растекания;сопротивление контактов, подводящих проводов

r_б -

сопротивление базовой области

r_к -

сопротивление коллекторной области

r_э -

дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

S -

площадь, крутизна

S(v) -

спектральная плотность излучения

T -

температура

T₀ -

время пролета домена

Т_п -

температура  перехода

T_пmax -

максимальная температура перехода

t -

время

-

среднее время свободного пробега электрона и дырки

t_пр -

время пролета электронов через канал

t_ф -

время формирования домена

u₀  -

прямое напряжение

U₁ ,U₂ -

напряжения, соответствующие I₁ и I₂

U₃  -

напряжение раствора

u_v  -

объемная плотность энергии внешнего поля

U_к -

контактная разность потенциалов

U_обр -

обратное напряжение

U_пр -

напряжение пробоя

v -

скорость электрона

v_max -

максимальная скорость дрейфа

v_д -

скорость домена

v_др -

скорость дрейфа

v-

центральная частота спектральной линии

v_нас -

скорость насыщения

v_рек -

скорость рекомбинации

W₁₂ -

вероятность вынужденного перехода снизу вверх в 1с

W_i -

энергия уровня i

W₂₁ -

вероятность вынужденного перехода сверху вниз в 1с

W_F -

уровень Ферми

W_в -

"потолок" валентной  зоны

W_пр -

"дно" зоны проводимости

w₁₂  -

вероятность релаксационных переходов между уровнями W₁ и W₂

w₂₁  -

вероятность релаксационных переходов между уровнями W₂ и W₁

w_к -

глубина канала

x_n -

части ширины запирающего слоя n-полупроводнике

x_p -

части ширины запирающего слоя p-полупроводнике

Z -

полное сопротивление

α₀  -

коэффициент передачи тока эмиттера

a_n ,a_p -

коэффициенты ионизации электронов и дырок

D -

ширина запирающего слоя

D t -

неопределенность времени.

DW -

ширина запрещенной зоны, неопределенность энергии

d -

слой умножения

e -

относительная диэлектрическая проницаемость

e₀ -

диэлектрическая постоянная

g -

коэффициент рекомбинации

h -

коэффициент полезного действия (КПД)

h_внутр -

внутренний квантовый выход рекомбинационного излучения

j_т -

температурный потенциал

l -

длина волны

m -

подвижность

m_ср -

средняя подвижность

q_др -

угол пролета

r_n -

объемная плотность заряда электронов

t -

время жизни

t₂ -

средне временя жизни

t_j -

временя жизни на уровне j

t_{б ­}-

время пролета носителей заряда через базовую область;

t_к -

время зарядки емкости коллекторного перехода

t_кп -

время задержки в коллекторном переходе,

t_рел-

время релаксации

t_э -

время зарядки барьерной емкости эмиттерного перехода

t_эк -

время задержки сигнала, распространяющегося от эмиттера к коллектору

w₀ -

собственная резонансная частота