3.5.     Способы нарушения равновесия

Равновесие в переходе может быть нарушено либо путем изменения напряженности поля в переходе, либо путем изменения концентрации СНЗ.

Концентрация СНЗ как в переходе, так и прилегающих к нему областях полупроводника, может быть изменена, например, путем облучения полупроводника светом подходящей длины волны или путем любого другого воздействия, изменяющего скорость генерации (рекомбинации) свободных носителей заряда в этих областях. Она может быть изменена также путем принудительного введения (инжекции) в переход или, наоборот, путем принудительного извлечения (экстракции) из перехода СНЗ.

Напряженность поля в переходе может быть изменена путем приложения к переходу внешнего напряжения. Разность потенциалов на границах p-п перехода при этом или уменьшается, или возрастает, в зависимости от полярности приложенного напряжения. Если разность потенциалов на границах перехода уменьшается, то включение перехода называется прямым, если же она увеличивается, то включение называют обратным.

Поскольку концентрация СНЗ и напряженность поля величины, связанные между собой, поэтому, независимо от того на какую из них воздействует внешний фактор, изменяться будут обе эти величины. Напряженность поля и разность потенциалов на переходе становятся отличными от своих равновесных значений и в переходе, как и в прилегающих к нему областях, появляются избыточные или неравновесные СНЗ.

Независимо от причины, вызывающей нарушение равновесия в переходе силы действующие на каждый из носителей зарядов, оказываются не скомпенсированными, и электроны и дырки приходят в движение. Если  внешняя цепь перехода замкнута, то в переходе возникает электрический ток, если же эта цепь разомкнута - на внешних выводах контактирующих полупроводников устанавливается некоторое напряжение (термоЭДС, фотоЭДС и т.д.).

 Действие большой группы электропреобразовательных полупроводниковых приборов основано на инициировании электрического тока в p-n переходах путем приложения к ним внешнего напряжения.

Действие фотоэлектрических полупроводниковых приборов основано на инициировании в переходе электрического тока (фотоЭДС) электромагнитным излучением (световым потоком).