И

И-12 Индикаторный электронно-лучевой прибор приёмный электронно-лучевой прибор , предназначенный для отображения информации в условной форме (светящихся знаков, графиков или полутонового изображения). По назначению, принципу действия и другим признакам И.э.-л.п. делятся на запоминающие и без запоминания, индивидуального и коллективного пользования, самосветящиеся и светоклапанные, монохромные и цветные. Для индикаторов коллективного пользования применяются проекционные электронно-лучевые приборы высокой яркости, изображение с небольшого экрана которых проецируется на отдельный большой экран. Для проекции изображения на большой экран помимо И.э.-л.п. с люминесцентным экраном используются приборы с лазерным полупроводниковым экраном, вынужденное излучение которого вызывается электронным пучком {квантоскопы ), а также светоклапанные электронно-лучевые приборы .

И-21 Интегральная схема (ИС) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных между собой транзисторов, полупроводниковых диодов, конденсаторов, резисторов и др. элементов, изготовленных в едином технологическом цикле. ИС называют также интегральной микросхемой (ИМС) и микросхемой. Число элементов в данной ИС характеризует её степень интеграции. По степени интеграции все ИС условно делятся на малые,(МИС -до 102 элементов на кристалл), средние (СИС -до 103), большие (БИС -до 104), сверхбольшие (СБИС -до 106), ультрабольшие (УБИС-до 1ОЭ) и гигабольшие (ГБИС - более 109 элементов на кристалл). Иногда интеграции степень определяют величиной k=\gN, где N-число элементов, входящих в ИС (значение к округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения). Плотность размещения элементов в ИС ограничивается топологическими и физическими факторами. Система соединений (металлизация) начинает занимать значительную часть площади пластины, а наличие пересечений заставляет применять 2-3 изолирующих диэлектрических слоя. Главным физическим фактором является обеспечение отвода тепла. Высокая степень интеграции и большая функциональная сложность ИС приводят к значительной сложности процесса их проектирования. ИС по своим функциям делятся на два основных класса -аналоговые и цифровые. Особым видом ИС являются аналого-цифровые преобразователи (АЦП) и цифро-аналоговые преобразователи (ЦАП) . Направлением универсализации ИС является использование матричных ИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК) , допускающих выполнение до 1000 различных функций при использовании заранее изготовленной (как полуфабриката) БМК одного типа при использовании заказных фотошаблонов для реализации необходимой функции. Впервые идея ИС была высказана англ. учёным Д. Дамером в 1952. Исторически первыми были созданы гибридные ИС (ГИС). Приоритет создания монолитной ИС (полупроводниковой ИС) принадлежит змер. учёным Дж. Килби и Р. Нойсу, которые независимо друг от друга в 1959 подали заявки на изобретение

И-26 Информации отображения устройство эоеспечивзет преобразование электрических сигналов, несущих информацию, в видимые изображения различных объектов-предметов, чертежи, букв, цифр и др.знаков. И.о.у. бывают индивидуального и коллективно пользования. Для индивидуального пользования наиболее часто применяют И.о.у., основным элементом которых является кинескоп LK-29], знакопеяатающий электронно-лучевой прибор , а также газоразрядные индикаторные панели . Среди И.о.у. коллективного пользования наиболее распространены проекционные электроннолучевые приборы

И-27 Ионизация образование положительных или отрицательных ионов из электрически нейтральных атомов молекул, радикалов и др. частиц. Энергия, необходимая для образования иона называется энергией ионизации.

И-28 Ионная бомбардировка облучение поверхности твёрдого тела направленным потоком ионов. Используется для ионной очистки, травления и ионного легирования [И-30].

И-29 Ионная имплантация то же, что ионное легирование .

И-30 Ионное легирование (ионная имплантация) введение легирующих примесей в твёрдое тело путём бомбардировки его в вакууме ионами примесного вещества. С помощью И.л. можно изменить величину и тип проводимости кристалла полупроводника или его отдельных участков, включая и образование р-п-переходов. Ионы примеси ускоряются до энергий 104~106эВ. От величины энергии зависит глубина, на которой создаётся р-л-переход. Высокая равномерность распределения ионов легирующей примеси по поверхности легируемого образца (кристалла) обеспечивается сканированием пучка ионов с помощью электростатической отклоняющей системы [0-33] или/и перемещением образца относительно неподвижного ионного луча. И.л. по сравнению с методом диффузии (см. Диффузия примесей в полупроводник [Д-30]) имеет ряд преимуществ: позволяет в более широких пределах и с большей точностью варьировать величину поверхностной концентрации примесей (изменением тока пучка); вести процесс при более низких температурах; допускает существенно больший выбор легирующих примесей; позволяет получать разнообразие по форме распределения примеси с чёткими границами областей легирования; обеспечивает большую чистоту внедряемых примесей и возможность локального легирования узким ионным пучком, либо с помощью защитных масок.

И-31 Ионное распыление в технологии электронных приборов - разрушение поверхности твёрдых тел в результате бомбардировки их в вакууме ионами. Используется в основном для травления (очистки) поверхности подложки (мишени), а также для получения тонких плёнок путём осаждения на подложку распылённого вещества мишени.

И-35 Ионно-электронная эмиссия испускание электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости в вакуум или газовую среду при бомбардировке ионами. Характеризуется коэффициентом И.э.э., равным отношению числа эмитированных электронов к числу падающих на поверхность ионов.

И-41 Испытания электронных приборов определение уровня качества и надежности изделий электронной техники или установления их соответствия требованиям стандартов и технических условий. И.э.т. осуществляются с помощью специальных устройств и установок на стадиях разработки, производства и эксплуатации приборов с целью изучить зависимость характеристик приборов, от режимов работы и внешних нагрузок (исследовательские испытания), выявить и изъять дефектные или потенциально ненадежные приборы (технологические или отбраковочные испытания), проверить соответствие приборов требованиям стандартов и технических условий (контрольные испытания), определить уровни безопасных и разрушающих нагрузок (граничные испытания).