П.2.2.2. Физические характеристики магнитного материала
Толщина магнитного слоя. Поверхность магнитной полосы может возвышаться над поверхностью основы карты (при измерении измерительным штифтом с радиусом от 0,38 до 2,54 мм) в пределах 0...0,033 мм.
Шероховатость поверхности. Усредненная нерегулярность поверхности магнитной полосы не должна превышать 0,404 мкм относительно осевой линии в продольном и поперечном направлениях.
Профиль поверхности. Профиль магнитной полосы, усредненный по ее максимальной ширине (рис. П2-2 и П2-3), измеренный параллельно короткой стороне карты с помощью пробника с радиусом 0,38...2,54 мм, не должен отклоняться по вертикали более, чем на 3,8 мкм на любом фрагменте полосы длиной 2,54 мм от прямой линии, соединяющей точки полосы с минимальной шириной (рис. П2-4). Требования к профилю магнитной полосы определяются выражением:
где W - минимальная ширина магнитной полосы;
для карт с дорожками 1 и 2 (рис. П2-2) - 6,35 мм;
для карт с дорожками 1,2 и 3 (рис. П2-3) - 10,28 мм.
В процессе измерений карта должна быть прижата оборотной стороной (т.е. той, на которую нанесена магнитная полоса) к ровной поверхности с усилием, равным 2,2 Н, равномерно распределенным по измеряемой зоне карты.
Примечание 1. Возможные неровности профиля магнитной полосы, вызванные выплесками магнитного материала при горячей штамповке, не являются рабочей частью магнитной полосы, но их границы не должны выходить за заданные пределы поверхности полосы (рис.П2-5).
Примечание 2. Нанесение магнитного материала поверх зоны печати не рекомендуется. При наличии повреждения края карты (и типографской краски, нанесенной на покрытие) карта будет подвержена износу вследствие выкрошивания и отслаивания магнитной полосы.
Примечание 3. Для соблюдения единообразия оценки качества карт используются точные методы измерения профиля поверхности с применением профилометров.
Сцепление магнитной полосы с картой. В обычных условиях использования магнитная полоса не должна отделяться от карты.
П.2.2.3. Эксплуатационные характеристики магнитного материала идентификационных карт
Общие сведения. В методике стандарта ISO 7810, определяющей эксплуатационные характеристики магнитного материала карт, используется образцовая (аттестованная) эталонная карта, магнитный материал которой соответствует по своим характеристикам магнитной ленте, являющейся первичным эталоном (типа SRM 3200). При этом не устанавливаются конкретные минимальное или максимальное значения коэрцитивной силы магнитного материала НС. Стандартное значение этого параметра (300...500 Эрстед) при необходимости задается фирмой-изготовителем карт. Более высокие значения коэрцитивной силы обеспечивают повышенную стойкость к стиранию информации, но это приводит к увеличению стоимости карт и затрудняет коррекцию записанной информации, необходимую, например, при списывании использованного ресурса в таксофонах.
Амплитуда сигнала, воспроизводимого с магнитной полосы карты. При записи информации на магнитный материал с любыми защитными покрытиями номинальными токами записи с плотностью, равной 8 импульсным перепадам намагниченности на миллиметр (ипн/мм), амплитуда сигнала должна составлять от 80 до 130% от эталонной амплитуды сигнала.
Амплитуда воспроизводимого сигнала, полученная при этой плотности записи, при токе записи, равном 500% от величины номинального тока IR, не должна превышать амплитуду сигнала, полученного при той же плотности, но при токе записи, равном 350% от величины тока IR. Между этими двумя точками наклон кривой насыщения не должен быть положительным.
При записи информации теми же токами при плотности 20 ипн/мм амплитуда воспроизводимого с магнитной полосы сигнала не должна быть меньше величины, равной 70% от амплитуды сигнала, полученного при плотности записи 8 ипн/мм, т.е.
Стирание информации. Магнитный материал карты должен обеспечивать стирание информации постоянным током, величина которого составляет 350% от тока IR. При этом уровень остаточного сигнала не должен превышать 3% от эталонной амплитуды сигнала.
Условия испытаний. При измерениях амплитуд сигналов, воспроизводимых с магнитной полосы карт, должны поддерживаться:
- температура окружающей среды 23±3°С;
- относительная влажность 40...60%.
При испытании карт в условиях, отличающихся от приведенных выше, амплитуда сигнала, считываемого с магнитной полосы, не должна отклоняться более чем на 15% от значений, полученных при стандартных условиях испытаний, после выдержки карты в течение 5 мин в следующих условиях эксплуатации:
- температура окружающей среды -35...+50°С;
- относительная влажность 5...95% (при максимальной температуре по влажному термометру, равной 25°С).
Ширина зазора используемой головки воспроизведения не должна превышать 0,025 мм.
При проведении описанных выше измерений амплитуда сигнала должна определяться после того, как установился процесс записи-воспроизведения.
П.2.3. Метод кодирования сигналов, записываемых на магнитную полосу
Для записи данных на карты используется метод двухчастотной синфазной записи, обеспечивающий последовательную запись данных с самосинхронизацией на каждой дорожке.
В состав записанных таким кодом данных входят собственно данные и синхросигнал. Изменения потока намагниченности между перепадами синхронизации означает логическую единицу, а отсутствие такого изменения означает логический ноль. Данные записываются в виде непрерывной синхронной последовательности сигналов (рис. П2-6).
Запись должна производиться в режиме насыщения, причем вектор намагничивания должен быть параллелен дорожке на магнитной полосе с допустимым отклонением (рис. П2-7).
П.2.4. Технические характеристики кодирования на дорожках 1 и 2, защищенных от перезаписи информации
Дорожка для буквенно-цифровой информации (дорожка 1). Номинальная плотность записи должна составлять 8,3 бит/мм ±5% при измерении вдоль прямой, параллельной осевой продольной линии дорожки. При этом интервал между соседними изменениями потока намагниченности должен составлять 0,121±0,006 мм±5% для логического нуля и 0,06±0,004 мм±7% для логической единицы. Для последовательности логических единиц плотность записи соответствует номинальной, т.е. 16,5 ипн/мм.
Рекомендуется использование наборов 6-разрядных символов с контролем на четность. В зоне расположения магнитного материала при кодировании каждого символа составляющие его биты располагаются так, что младший бит кодируется первым, а бит четности последним. Коды для буквенно-цифровых символов приведены в стандарте ISO 7811/2.
Число символов данных и символов управления на 1-й дорожке не должно превышать 79, включая символы начала и конца записи, а также символ продольного контроля по избыточности.
Дорожка для цифровых символов (дорожка 2). Номинальная плотность записи должна составлять 3 бит/MM±3% при измерении вдоль прямой, параллельной осевой продольной линии дорожки. При этом интервал между двумя соседними изменениями потока намагниченности должен составлять 0,339±0,010 мм±3% для логического нуля и 0,169±0,007 мм±4% для логической единицы. Для последовательности логических единиц плотность записи соответствует номинальной, т.е. 6 ипн/мм.
Рекомендуется использование 4-разрядных цифровых символов с контролем на четность. Таблица кодирования приведена в стандарте ISO 7811/2.
Число информационных символов и символов управления на 2-й дорожке не должно превышать 40, включая символы начала и конца записи, а также символ продольного контроля по избыточности.
П.2.5. Технические характеристики кодирования на 3-й дорожке с коррекцией информации
Номинальная плотность записи на 3-й дорожке с возможностью коррекции информации должна составлять 8,3 бит/мм ±8% при измерении вдоль прямой, параллельной осевой продольной линии дорожки. При этом интервал между соседними изменениями потока намагниченности должен составлять 0,121± 0,01мм±8% для логического нуля и 0,06±0,006 мм±10% для логической единицы. Для последовательности логических единиц плотность записи соответствует номинальной, т.е. равна 16,5 ипн/мм.
Число символов данных и символов управления на 3-й дорожке не должно превышать 107, включая символы начала и конца записи, а также символ продольного контроля по избыточности.
Структура информации на 1-й, 2-й и 3-й дорожках представлена на рис. П2-8, П2-9 и П2-10.
Ниже описаны два используемых способа обнаружения ошибок, реализуемых при помехоустойчивом кодировании сигналов. Символы синхронизации кодированию не подлежат.
Посимвольный контроль на четность. В состав каждого записываемого символа включается бит четности. Значение бита четности задается таким образом, чтобы общее число единичных символов в данном символе (включая бит четности), было нечетным.
Продольный контроль по избыточности. В каждом информационном блоке должен присутствовать символ продольного контроля по избыточности. При условии, что считывание информации с карты производится в направлении, при котором первой воспроизводится сигнальная метка (символ) начала записи, затем данные и, наконец, сигнальная метка (символ) конца записи, символ продольного контроля по избыточности записывается сразу же после метки конца записи. Конфигурация сигнала контрольного символа такая же, как и у информационных сигналов.
Значение каждого символа продольного контроля по избыточности (не считая бит четности) формируется таким образом, чтобы общее число единичных символов, закодированных в соответствующей позиции в информационном блоке, включая метку начала записи, непосредственно данные, метку конца записи и символ продольного контроля по избыточности, было четным.
Бит четности продольного контроля по избыточности не является битом четности для отдельных битов четности и формируется в соответствии с процедурой, определенной в предыдущем подразделе.
П.3.1. Проверка расположения контактных площадок модуля с интегральной схемой
Для обеспечения совместимости серийно выпускаемых карт и контактов картоприемного устройства необходимо строгое выполнение требований стандартов по расположению контактных площадок модуля с интегральной микросхемой. Проверку расположения контактных площадок интегральной микросхемы карты (рис. ПЗ-Ц
проводят по перпендикулярным осям Х и Y. На осях отмечают три контрольных точки: Р1 на расстоянии 27,0 мм от "0" на оси Y и Р2 и Р3 на расстоянии 11,25 мм и 71,25 мм от "0" на оси Х.
Испытуемую карту помещают на плоскую твердую поверхность лицевой стороной вверх и прикладывают к карте нагрузку 2,2±0,2 Н.
Силы F1 (от 1 0 до 2,0 Н) и F2 (от 2,0 до 4,0 Н) прикладывают к карте таким образом, чтобы карта касалась точек Р1, Р2, Р3.
Измерение значений А, В, С и D проводят для каждой контактной площадки интегральной микросхемы карты измерителем линейных размеров с погрешностью не более 0,05 мм. Размеры контактной площадки s, t определяют, вычисляя разность измеренных значений В и А, D и С соответственно.
П.3.2. Измерение длины и ширины карты
Измерение длины и ширины карты проводят профильным проектором, имеющим погрешность не более ±4,0 мкм. Испытуемую карту помещают горизонтально на жесткую пластину с шероховатостью Ra≤3,2 мкм по ГОСТ 6507 и прижимают к жесткой пластине с усилием 2,2±0,2 Н, равным весу прижимной пластины
(рис.П3-2). Затем проводят измерение длины и ширины карты профильным проектором.
П.3.3. Измерение толщины карты
Измерение толщины карты проводят микрометром с погрешностью измерения не более +4,0 мкм в каждом из четырех квадрантов карты, изображенных на рис. ПЗ-3. Измерение должно проводиться микрометром с диаметром измерительных головок от 3 до 8 мм.
П.3.4. Проверка расположения поверхностей контактных площадок карты
Для обеспечения надежного подключения контактных площадок карты к соответствующим элементам картоприемного устройства должны выполняться требования стандартов ISO по расположению поверхностей контактных площадок. Конечные точки линии для измерения уровней профиля поверхности контактных площадок (Е, F) располагаются на расстоянии "а" (равном 2 мм) от края зоны карты, прилегающей к контактным площадкам (рис.П3-4).
Датчик со щупом профилометра при измерении перемещается по линии, пересекающей одну или несколько контактных площадок.
Уровни профиля поверхности контактных площадок и прилегающей поверхности карты измеряются щупом с радиусом от 0,38 до 2,54 мм, прижимаемым к ним с усилием от 0,5 до 6 мН, при перемещении щупа со скоростью не более 1 мм/с. Разность измеренных значений уровней профиля поверхности контактных площадок и прилегающей поверхности карты должна составлять не более 0,1 мм.
П.3.5. Испытания на устойчивость к многократным изгибам
Пластиковые карты при использовании могут подвергаться существенной деформации как при хранении, так и при вводе в картоприемное устройство. Для проверки устойчивости карт к такого рода воздействиям стандартами ISO предусмотрены испытания на многократные изгибы и кручение.
Испытания на устойчивость к многократном изгибам карты проводят с помощью устройства, показанного на рис. П3-5.
Расположение осей карты, относительно которых производится изгиб при испытаниях, показан на рис. П3-6.
Варианты положений карты при испытаниях и оси, относительно которых осуществляется изгиб, следующие:
• положение 1: карта находится лицевой стороной вверх, изгиб по оси NN';
• положение 2: карта находится лицевой стороной вниз изгиб по оси NN';
• положение 3: карта находится лицевой стороной вверх, изгиб по оси ММ';
• положение 4: карта находится лицевой стороной вниз, изгиб по оси ММ'.
Перемещение подвижного захвата устройства (рис. П3-5) должно обеспечивать:
• максимальное значение стрелы прогиба (hw );
• 20 мм - изгиб по оси ММ' с допустимым отклонением, равным -1 мм;
• 10 мм - изгиб по оси NN' с допустимым отклонением, равным -1 мм;
• минимальное значение стрелы прогиба (hv ) равно -2,0 мм при изгибе по осям ММ' и NN' с допустимым отклонением в пределах ±0,5 мм.
Карта изгибается по 250 раз последовательно в положениях 1...4 с частотой 0,5 Гц.
В начале и конце испытаний проводят проверку карты на соответствие стандартам ISO. В конце испытаний карту осматривают для выявления механических повреждений.
П.3.6. Испытания на устойчивость к многократному кручению
Испытания карт на устойчивость к многократному кручению проводят с помощью захватов с прорезями глубиной 3,0 мм и шириной 1,0 мм (рис. П3-7).
Края карты поворачиваются захватами испытательного устройства вокруг оси в противоположных направлениях на угол 150 относительно исходного положения карты (рис. ПЗ-8) с частотой 0,5 Гц.
Число испытательных циклов кручений карты составляет 1000. Проверку функционирования испытуемой карты проводят в начале испытаний и после каждого из циклов по 250 кручений. В конце испытаний проводят проверку карты на отсутствие механических повреждений путем ее внешнего осмотра.
П.3.7. Проверка предела прочности к отслаиванию оверлея карты
К числу основных испытаний карт относится проверка предела прочности к отслаиванию оверлея карты, которую проводят на полосе карты, установленной в устройстве для испытания на отслаивание (рис. П3-9).
Испытания проводят в следующем порядке:
• разрезают карту на полосы шириной 25 мм (рис. П3-9);
• отслаивают оверлей на 6 мм от края карты и закрепляют в подвижном зажиме испытательного устройства (рис. П3-10);
• закрепляют полосу карты в неподвижном зажиме испытательного устройства (см. рис. П3-10);
• определяют усилие отслаивания оверлея от основы карты при скорости перемещения подвижного зажима 30 см/мин.
Значение усилия отслаивания оверлея карты F должно составлять не менее 6,0 Н/см.
П.3.8. Проверка устойчивости карты к воздействию электростатических разрядов
Интегральная схема не должна выходить из строя при эксплуатации пользователем, заряженным статическим электричеством. Характеристика карты не должна ухудшаться от воздействия статического разряда напряжением 1500 В от конденсатора ёмкостью 100 пФ между любым контактом и "землёй" через сопротивление 1500 Ом.
Проверку устойчивости карты к воздействию электростатических разрядов проводят по схеме, приведенной на рис.П3-11.
Проверку устойчивости карты к воздействию электростатических разрядов выполняют в следующей последовательности:
а) клемму Х1.2 устройства подключают к контактной площадке С5 ("земля") карты, клемму Х1.1 устройства подключают к контактной площадке С2;
б) на выходе регулируемого высоковольтного источника напряжения устанавливают напряжение 1,5 кВ;
в) ключ К2 переключают для проверки устойчивости карты к электростатическим разрядам;
г) ключ К2 переводят в исходное положение;
д) ключ К1 переключают, изменяя полярность напряжения заряда конденсатора на противоположную, и проверяют устойчивость карты к электростатическим разрядам по пунктам “а” ... “г”;
е) клемму Х1.1 устройства подключают последовательно к контактным площадкам С3...С4, С6...С8 карты и проверяют ее на устойчивость к электростатическим разрядам по пунктам “а” ... “д” .
Примечания:
1. Продолжительность заряда конденсатора не менее 200 мс.
2. Временной интервал между воздействиями импульсов электростатических разрядов на карту не менее 5 с.
3. После каждого воздействия на карту электростатическим разрядом замыкают и размыкают ключ К3.
После испытаний на воздействие электростатических разрядов проводят проверку неизменности функциональных возможностей карты по стандартам ISO.
Проверка карты к воздействию электростатических разрядов выполняется на устройстве, отвечающем следующим техническим требованиям:
• выходное напряжение регулируемого источника высокого напряжения - 1500 В;
• емкость конденсатора С - 100 пф;
• сопротивление нагрузки R3 - 1500 Ом;
• длительность среза импульса напряжения τcp =300±30 нс контролируется цифровым осциллографом с рабочей частотой 300 МГц и зондом высокого напряжения с импедансом не менее 10 МОм и емкостью не более 5 пФ (рис. П3-12).
Контроль испытательного устройства для проверки устойчивости карты к воздействию электростатического разряда проводят в следующем порядке:
• устанавливают на выходе регулируемого источника высокого напряжения 1500 В;
• переключают ключ К2 (время заряда конденсатора tp должно быть не менее 200 мс);
• ключ К2 устанавливают в исходное положение;
• проверяют по осциллографу длительность среза импульса напряжения. Длительность среза импульса напряжения должна составлять не более 300 нс на уровне 50 % от амплитудного значения напряжения;
• переключают ключ К2 для проверки устойчивости карты к электростатическим разрядам;
• замыкают и размыкают ключ КЗ для снятия остаточного заряда на конденсаторе;
• переключают ключ К1;
• через 200 мс ключ К2 возвращают в исходное положение;
• проверяют по осциллографу время среза импульса напряжения.
П.3.9. Измерение электрического сопротивления контактов карты
Измерение электрического сопротивления контактов проводят миллиомметром с помощью контакт-деталей по схеме, представленной на рис. П3-13.
Испытательная контакт-деталь изображена на рис. П3-14. Погрешность измерения должна быть не более ±15%. Испытательные контакт-детали прижимают к контактной площадке карты с усилием 0,5±0,1 Н. Измерения проводятся для каждой контактной площадки.
П.3.10. Проверка устойчивости карты к воздействию химических веществ
Для проверки устойчивости карты к кратковременному воздействию химических веществ ее погружают на 1 мин. в 5-процентные водные растворы соли, уксусной кислоты, сатурированной натриевой воды, сахара, а также растворы, содержащие 60% этилового спирта и 50% этиленгликоля, при температуре от 20 до 250С.
Примечания:
1. Испытаниям подвергается партия из шести карт (в каждый из перечисленных растворов погружается одна карта).
2. После удаления из раствора карта промывается в дистиллированной воде и вытирается абсорбирующей тканью.
После воздействия химических веществ на карту путем внешнего осмотра проверяют отсутствие повреждений, следов коррозии, а затем проводят проверку неизменности функциональных возможностей карты.
При проверке устойчивости карты к длительному воздействию химических веществ на карту воздействуют:
• соляным туманом в течение 24 часов по ГОСТ 2057.406 (метод 215-2.30);
• искусственной имитацией пота в течение 24 часов по ГОСТ 9733.6.
Примечания:
1. На каждую карту воздействуют одним видом раствора.
2. После удаления из раствора карта промывается в дистиллированной воде и вытирается абсорбирующей тканью.
После воздействия химических веществ на карту путем внешнего осмотра проверяют отсутствие повреждений, следов коррозии и ее функционирование.
П.3.11. Проверка образцов карт на слипание
Для проверки карты (без тисненых знаков) на слипание образцы складывают в стопку по пять штук лицевой стороной вверх в термобарокамере. Затем воздействуют давлением 2,5 кПа.
Испытания проводят при температуре 400С и относительной влажности 90% в течение 48 часов.
До и после воздействия температурного цикла карту выдерживают в нормальных условиях в течение 1 ч.
После выдерживания в течение 1 ч. в нормальных условиях карты должны легко разделяться и при визуальном осмотре не должно быть:
• расслаивания материала карты;
• обесцвечивания и перехода цветов;
• изменения качества отделки поверхности;
• переноса материала с одной карты на соседние.
Затем карты проверяются на остаточную деформацию.
П.3.12. Проверка устойчивости карты к воздействию ультрафиолетового света и рентгеновских лучей
Для проверки устойчивости карты к воздействию ультрафиолетового света ее облучают монохроматическим светом с длиной волны 254 нс и энергией 15 Вт с/см2.
Облучению первоначально подвергают лицевую, а затем оборотную стороны карты. Время облучения каждой стороны карты определяют по формуле:
где t - время облучения, с;
W - энергия облучения, Вт с/см2;
Е - энергетическая освещенность, мкВт/см2.
После ультрафиолетового облучения проводят проверку карты на сохранность информации и возможность перезаписи данных в карту.
Для проверки устойчивости карты к воздействию рентгеновских лучей обе стороны карты подвергают воздействию рентгеновских лучей. Доза облучения составляет 70 кэВ.
После рентгеновского облучения проводят проверку карты на сохранность информации и возможность перезаписи данных.
П.3.13. Проверка устойчивости карты к климатическим воздействиям
Проверку устойчивости карты к климатическим воздействиям проводят по методике ГОСТ 20.57.406 (методы 201...205, 207).
После испытаний проводят проверку:
• на образование механических повреждений и коррозии (внешний осмотр);
• сопротивления контактов;
• функционирования карты.
Контроль стабильности размеров и степени деформации карты при воздействии температуры и влажности проводят в термокамере.
При испытаниях образец карты размещают горизонтально. Карту подвергают воздействию температуры и влажности в следующем порядке:
• минус 400°'С - 60 мин.;
• 500°С - 60 мин.;
• 250°С и относительной влажности 5% - 60 мин.;
• 250°С и относительной влажности 95% - 60 мин.
После каждого испытательного воздействия карту выдерживают в нормальных климатических условиях в течение 1 ч. и проверяют степень деформации карты.
Приложение 4.ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ КАРТ С КОНТАКТНЫМИ И БЕСКОНТАКТНЫМИ ИНТЕРФЕЙСАМИ
АБС - Акрилнитрил-Бутадиен-Стирол
БВН - Код "Без Возврата к Нулю"
БД - База Данных
БМГ - Блок Магнитных Головок
БО - Блок Обработки
Д - Декодер
ДАВП - Дифференциальный Анализ Высокого Порядка
ДАИ - Дифференциальный Анализ Искажений
ДАП - Дифференциальный Анализ Питания
ДК - Дебетная Карта
ЗУ - Запоминающее Устройство
ИДК - ИДентификационная Карта
ИП - Интеллектуальная Платформа
ИПН/ММ - Импульсные Перепады Намагниченности на Миллиметр
ИСС - Интеллектуальная Сеть Связи - Кодер
К - Кодер
КТ - Компьютерно-Телефонная технология
ЛЦ - Локальный Центр постоянной (временной) регистрации пользователя
МАИ - Международная Академия Информатизации
МГ – Между Городная телефонная связь
МГТС - Московская Городская Телефонная Сеть
МК - Магнитная Карта
ММТ- Московский Междугородный Телефон
МН – Между Народная телефонная связь
МПЦ - Межрегиональный Процессинговый Центр
МСЭ - Международный Союз Электросвязи
МСЭ-Т - Комитет международного Союза Электросвязи по Телекоммуникациям
МТУСИ - Московский Технический Университет Связи и Информатики
МФИ - Международный Форум Информатизации
МЭК - Международная Комиссия по Электросвязи
НСД – Не Санкционированный Доступ
ОС - Операционная Система
ОФМ - Относительная Фазовая Модуляция
ПАП - Простой Анализ Питания
ПВХ - ПолиВинилХлорид
ПЗУ - Программируемое Запоминающее Устройство
ПИН - Персональный Идентификационный Номер
ПК - Пластиковая Карта
ПО - Программное Обеспечение
ПЦ - Процессинговый Центр
ПЭТ - ПолиЭтилен-Терефталат
РИК - Российская Интеллектуальная Карта
РПЦ - Региональный Процессинговый Центр
СКД - Системы Контроля Доступа
ССОП - Система Связи Общего Пользования
СТК - Сервисная Телефонная Карта
СУБД - Система Управления Базой Данных
СЦДУКТ - Система Централизованного Дистанционного Управления и Контроля Таксофонов
ТА - Телефонный Аппарат
ТРС СТК - Территориально-Распределённая Система Сервисных Телефонных Карт
Тфоп - Телефонная Сеть Общего Пользования
УВ - Усилитель Воспроизведения
УЗ - Усилитель Записи
ЦМЗ - Цифровая Магнитная Запись
ЭВМ - Электронно-Вычислительная Машина
ЭМН – Электро Магнитный Носитель
ЭСЦ - Экспертно-Сертификационный Центр
А3 - Authentication Algorithm (Алгоритм Аутентифика
A5 - Stream Cipher Algorithm (Алгоритм Паточного Шифра
А8 - Ciphering Key Generation Algorithm (Алгоритм формирования ключа шифрования)
АСК - ACKnowledge (Подтверждение)
AFNOR - Национальный стандарт Франции на пластиковые карты с интегральными схемами
AID - Application IDentifier (Идентификатор Приложения)
APDU - Application Protocol Data Unit (Блок Данных Протокола Приложения)
ATR - Answer To Reset (Ответ на команду "Сброс")
AUC - AUthentication Center (Центр Аутентификации)
BER - Basic Encoding Rules (Основные Правила Криптокодирования)
BILLNG - Billing (Составление счета к оплате за услуги связи)
BOS - Back Office System (Подсистема администрирования)
BGT - Block Guard Типе (Защитный временной интервал блока)
BWT - Block Waiting ТИше (Временной интервал ожидания блока)
СВС - Cipher Block Chaining (Цепное Блочное Кодирование)
ССС - Credit Card Calling [Вызов по Кредитной Карте)
CCS - Cryptographic Check Sum (Криптографическая Контрольная Сумма)
CKSN - Ciphering Key Sequence Number (Порядковый Номер Ключа Шифрования)
СМС - Ciphering Mode Command (Команда Режима Шифрования)
CRC - Cyclic Redundancy Code (Циклический Избыточный Код)
CRC - Cyclic Redundancy Check (Циклическая Проверка Избыточности)
CWT - Character Waiting Типе (Временной интервал ожидания символа)
DEA - Data Encryption Algorithm (Криптографический алгоритм)
DES - Data Encoding Standard (Алгоритм Шифрования, стандартизованный в США)
DF - Dedicated File (Специализированный Файл)
DID - Diffractive Identification Речке (Дифракционное Устройство Идентификации)
DRAM - Dynamic Random Access Memory (Динамическая Память типа RAM)
DSA - Digital Signature Algorithm (Алгоритм Цифровой Подписи)
EDC - Error Detection Code (Код Обнаружения Ошибок)
EEPROM - Electrically Erasable Programmable Read Only Memory (Электрически Стираемая, Программируемая Память только с Режимом Чтения)
EF - Elementary File (Элементарный Файл)
ЕРRОМ - Erasable Programmable Read Only Memory (Стираемая Программируемая Память только с Режимом Чтения)
ETSI - European Telecommunications Standards Institute (Европейский Институт Стандартов Связи)
ETU - Elementary Time Unit (Элементарный Временной Интервал)
FDS - Fraud Detection System (Система Обнаружения Мошенничества)
FID File IDentifier (Идентификатор Файлов)
FRAM - Ferroelectric Random Access Memory (Ферроэлектрическая Память с Произвольным Доступом)
GET RESPONSE - команда "Дать Ответ"
GSM - Global System for Mobile Communications (Глобальная Система Подвижной Связи)
HLR - Ноте Location Register (Регистр Местонахождения /домашний/)
ICSC - International Chemical Safety Card (Международная Карта Химической Безопасности)
ID - Identification Document (Идентификацнонная Пластиковая Карта)
IEEE - Institute of Electrical and Electronic Engineers (Институт Инженеров по Электротехнике и Радиоэлектронике США)
IFSC - Infoimation Field Size for the Card (Размер Информационного Поля Карты)
IFSD - Information Field Size for the interface Речке (Размер Информационного Поля Устройства интерфейса)
IMEI - International Mobile Equipment Identification Международный Идентификатор Мобильного Оборудования)
IML - In-Mould-Labeling (Этикетировка в Пресс-форме)
IMSI - International Mobile Subscriber Identity (Международный Идентификационный Номер Подвижного Абонента)
IN - Intelligent Network (Интеллектуальная Сеть связи)
I/О - Input/Output (Ввод/Вывод информации)
ISO - International Standard Organization (Международный Институт Стандартов)
ITU - International Telecommunication Union (Международный Союз Электросвязи)
LEN - LENgth (Длина Информационного Блока)
LRC - Longitudinal Redundancy Check (Продольный Резервный Контроль)
МАС - Message Authentication Code (Код Идентификации Сообщения)
М-bit - More Data Bit (Бит Увеличения Объёма Информации)
ME - Mobile Equipment (Мобильное Оборудование)
MF - Master File (Мастер-Файл)
MMU - Memory Management Unit (Блок Менеджмента Памяти)
MS - Mobile Station (Мобильная Станция)
NAD- Node Address (Узловой Адрес)
OSI - Ореп Systems Interconnections (Взаимодействие Открытых Систем)
OVI - Optical Variable Ink (Оптически Изменяющаяся Краска)
РВ - Ргосес1иге Byte (Процедурный Байт)
РСС - Prepaid Card Calling (Вызов по Предоплаченной Карте)
РСВ - Protocol Control Byte (Байт Протокола)
PIN - Personal Identificational Number (Персональный Идентификационный Номер)
РRОМ - Programmable Read Only Memory (Программируемая Память, только с Режимом Чтения)
PTS - Protocol Type Selection (Выбор Типа Протокола)
RAM - Random Access Memory (Оперативная Память с Произвольным Доступом)
RAND - RANDom Number (Случайный Номер/Число)
R/W - Read/Write (Режим записи/считывания)
RFID - Radio Frequency IDentification (Радио Частотная Идентификация)
RG - ReGister (Регистр Сдвига)
RO - Read Only (Исключительный режим считывания)
ROM - Read Only Memory ( Память только с Режимом Чтения)
RSA - Rivest, Shamir, Adleman (криптоалгоритм с открытым ключом, названный по фамилиям создателей)
SAM - Security Access Module (Модуль Защиты Доступа)
SC - Science Comission (Комиссия по Науке)
SIM-карта - Subscriber Identity Module (Карта-Модуль идентификации абонента)
SRAM - Static Random Ассов Memory (Статическая Память типа RAM)
SRES - Signed RESult (Подписанный Результат)
SRM - Standard Reference Material (Эталонная Магнитная Лента)
SSC - Send Sequence Counter (Счётчик Сеансов Связи)
TLV - Tag Length Value (Схема Кодирования "Метка- Длина-Значение )
TMSI - Temporary Mobile Subscriber Identity (Временный Идентификатор [Номер] Подвижного Абонента)
TPDU - Transmission Protocol Data Unit (Блок Данных Протокола Передачи)
UART - Universal Asynchronous Receiver/Transmitter (Универсальный Асинхронный Приёмник/Передатчик)
VRU - Voice Response Unit (Голосовая Подсистема Взаимодействия с Абонентом)
WG - Working Group (Рабочая Группа)
WORM - Write Once, Read Many (атрибуты Однократной Записи с Многократным Чтением)