ЎЗБЕКИСТОН АЛОҚА, АХБОРОТЛАШТИРИШ ВА ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЯ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ ДАВЛАТ ҚЎМИТАСИ
ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
«Электроника ва радиотехника»
кафедраси
СХЕМОТЕХНИКА
фанидан лаборатория ишлари учун
тарқатма материаллар
ТОШКЕНТ 2014
УДК 621.385.1
Мирхабибова Д.М., Атаниязов А.К., Нурмухамедова Т.У.
5330100-Ахборот тизимларининг математик ва дастурий таъминоти
5330200-Информатика ва ахборот технологиялари (тармоқлар бўйича)
5330300-Ахборот хавфсизлиги
5610600-Хизмат кўрсатиш техникаси ва технологияси
(хизмат кўрсатиш тармоқлари бўйича)
5111000-Касб таълими (Информатика ва ахборот технологиялари
(тармоқлар бўйича))
5620300-Почта алоқаси технологияси таълим йўналишларида таълим олаётган талабалар учун схемотехника фанидан лаборатория ишлари учун услубий кўрсатмалар. ТАТУ, 2014.
Мазкур лаборатория ишлари бўйича тарқатма материалларда кенг тарқалган рақамли интеграл микросхемаларнинг характеристика ва параметрларини тажриба асосида аниқлаш усуллари берилган.
© Тошкент ахборот технологиялари университети
Лаборатория иши №1
ИМС тайёрлаш технологияси ва классификацияси билан танишиш.
Ишнинг мақсади: ИМС тайёрлаш технологиясининг асосий босқичлари, уларнинг топологияси билан танишиш ва ИМС белгиланиш тизимини ўрганиб чиқиш.
1. ИМС белгиланиш тизимини ўрганиб чиқиш ва берилган ИМСлар мажмуидаги ҳар бир ИМС учун қисқача характеристика бериш: функционал вазифаси, технологиясининг тури, қўлланиш соҳаси, асосий параметрлари ва х.з.
2. Микроскоп ёрдамида кузатилаётган ИМС кристаллининг структурасини чизиш ва тушунтириб бериш.
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
3. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
3.1. Намойиш қилувчи макет ва кўргазмали қуроллар билан танишиб чиқинг.
3.2. Берилган мажмуадаги ИМСнинг номерини, турининг классифи-кациясини ва ҳар бир ИМС туркумини аниқланг.
3.3. Маълумотномадан фойдаланиб ўрганилаётган ИМСга характеристика беринг: бажарадиган вазифаси, қўлланиш соҳаси, асосий электр параметрлари.
3.4. ИМС тайёрлаш асосий босқичларидан фойдаланиб, ИМС тайёрлаш технологик босқичларининг кетма - кетлиги ҳақида умумий таъриф беринг ва уларга қисқача характеристика беринг.
3.5. Рим ўтказгич пластина намунасининг микроскопнинг кўриниш соҳасига ўрнатинг, аниқ тасвирга эришинг ва кўринаётган тасвирни чизиб олинг.
3.6. Кузатилаётган тасвир қайси технологик босқичга тааълуқли.
3.7. Микроскоп остида тугалланган кичик ва ўрта даражали интеграциядаги ИМС топологиясини кўрикдан ўтказинг.
Ҳисобот мазмуни:
− берилган мажмуадаги ИМСларнинг асосий белгиланишлари;
− берилган мажмуадаги ҳар бир ИМС учун қисқача характеристика;
− яримўтказгич ва гибрид ИМСлар тайёрлаш технологик босқичларини баёни;
− микроскоп остида кузатилаётган ИМС кристалли структурасининг расми ва шу расмга мос келувчи технологик босқич моҳиятининг баёни.
Назорат саволлари
1. Интеграл микросхема (ИМС) нима?
2. ИМС асосий хусусияти нимада?
3. ИМС элементи ва компонентаси деб нимага айтилади?
4. Пардали, гибрид ва ярим ўтказгичли ИМСларнинг бир-биридан фарқи нимада?
5. Нима сабабли транзисторли тузилма турли ИМС элементлари ясашда асосий ҳисобланади?
6. Интеграл микросхема элементларини изоляцияси қандай амалга оширилади?
7. Планар ва планар-эпитаксиал технологияда ясалган транзисторлар бир-биридан нимаси билан фарқ қилади?
8. Рақамли ва аналог ИМСларнинг мураккаблик даражаси (интеграция даражаси) қандай аниқланади?
9. Аналог ИМСларда қандай сигналлар қайта ишланади? Рақамлидачи?
Лаборатория иши №2
Биполяр транзистор асосидаги инверторни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: Биполяр транзисторли содда калит схемасида статик режимларни ва ўтиш жараёнларини тажриба йўли билан ўрганиш.
2.1-расм. Транзисторли калитда ўтиш жараёнларининг
вақт диаграммалари
2. Биполяр транзистор асосидаги инверторни ўлчаш схемаси 2.2-расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари Rб=(5÷10) кOм ва Rк=(500÷3300) Ом.
Биполяр транзисторнинг Е1 киришига 0...5 В оралиқда ўзгартириб бориб (Е4=5В бўлиши лозим) кириш IКИР=f(UКИР) ҳамда узатиш характеристикасини UЧИҚ=f(UКИР) ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 2.1-жадвалга киритинг.
2.2-расм. Биполяр транзистор асосидаги инверторни ўлчаш схемаси
2.1-жадвал
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,5 |
2 |
2,5 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
IКИР, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ҳисобот мазмуни:
- ишнинг номи.
- амалиёт иш макети принципиал схемасининг чизмаси.
- бажарилган ишнинг хар бир босқичи учун босқич номи ва олинган натижалар (жадвал, график ва осцилограмма кўринишида).
- олинган натижалар бўйича қисқача хулоса.
Назорат саволлари
1. Транзисторли калитнинг параметрларини аниқланг.
2. Ўтиш жараёни параметрларини транзисторнинг тўйиниш даражасига боғлиқлигини тушунтиринг.
3. Ўтиш жараёнига юклама сиғимининг таъсири.
4. Вақт диаграммаси асосида транзисторли калитда ўтиш жараёнларини тушунтиринг.
Транзистор-транзистор мантиқ схемасида бажарилган рақамли схемаларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: Транзистор-транзистор мантиқ интеграл схемаси электр параметрларини тадқиқ этиш.
.
3.1 - расм. ТТМ мантиқий элементини узатиш характеристикаси |
3.2 - расм. Узатиш характеристикасидан I0КИР и I1КИР қийматларини аниқлаш |
Лаборатория ишида таркибида 4 та 2ХАМ-ЭМАС схемаси бўлган К155ЛАЗ (SN7400N) ёки К555ЛАЗ микросхемаси қўлланилади (3.3-расм).
3.3-расм
Ишни бажаришга тайёргарлик кўриш жараёнида иловада келтирилган ИМС схемаси ва параметрлари ҳисоботга киритилиши лозим.
К155ЛА3 микросхемада мавжуд тўртта 2ХАМ-ЭМАС элементларнинг ихтиёрий биридан фойдаланиб, 3.4-расмда келтирилган схемани йиғамиз.
3.4-расм. Ўлчаш схемаси.
ИМС киришларидан бирига кириш кучланиши беринг, иккинчисига (ишлатилмаётганига) эса манбанинг “+” қутбини уланг. Е1 кириш кучланишини 0...5 В оралиқда ўзгартириб бориб кириш IКИР=f(UКИР) ҳамда узатиш характеристикасини UЧИҚ=f(UКИР) ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 3.1-жадвалга киритинг.
3.1-жадвал
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,2 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
2 |
2,2 |
2,4 |
2,6 |
2,8 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
IКИР, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.1.2. UКИР=U0≈0,4 В бўлганда ва UКИР=U1»2,4 В бўлганда мос равишда истеъмол I0ист. ва I1ист. токларини ўлчанг (U0 ва U1 сатҳ қийматлари паспорт кўрсатмаларидан олинади).
2.2. Микросхема юклама қобилиятини ўлчаш.
Олдинги бандда тадқиқ этилган схемадан фойдаланиб ИМС чиқишига юклама қаршиликлари: RЮ=10кОм, 1кОм, 100 Ом бериб, юклама чиқиш характеристикасини UЧИК=f(RЮ) ўлчаймиз.
3.2-жадвал
RЮ=10кОм |
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,2 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
2 |
2,2 |
2,4 |
2,6 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RЮ=1к Ом |
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,2 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
2 |
2,2 |
2,4 |
2,6 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RЮ=100 Ом |
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,2 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
2 |
2,2 |
2,4 |
2,6 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ҳисобот мазмуни:
- иловада келтирилган К155ЛА3 микросхема паспорт кўрсатмалари;
- ўлчаш натижалари жадваллари ва боғлиқликлар графиклари;
- олинган ИМС параметрлари қийматлари.
Назорат саволлари
1. Қандай мақсадда ТТМ схемаларда мураккаб инвертор қўлланилади?
2. ТТМ схемасининг диод-транзисторли мантиқ (ДТМ) схемасидан афзаллиги нимада?
3. Уч ҳолатга эга мантиқий схема нимадан иборат ?
4. ИМС чиқиш занжирларини шунтловчи диодлар қандай вазифани бажарадилар?
Лаборатория иши №4
Бир турдаги МДЯ-транзисторларида бажарилган
рақамли схемаларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: Бир турдаги МДЯ-транзисторларни калит режимида ишлаш хоссаларини ўрганиш. МТни юклама резистори сифатида қўлланилишини ўрганиш.
Мантиқий сигналлар сатҳларини аниқлашда калитнинг узатиш характеристикасини UЧИҚ=f(UКИР) ўлчаймиз.
Мантиқий ноль U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади.
DU = U1 - U0 мантиқий сигналларнинг сатҳлар фарқи деб аталади.
Бир турдаги МДЯ- транзисторларида бажарилган
калитнинг узатиш характеристикаси
- кучланиш манбаи қийматини Е2=9 В қилиб ўрнатиб
кириш кучланишини 0 дан 9В гача ўзгартириб бориб, UЧИҚ=f(UКИР) ва IИСТ=f(UКИР) боғлиқлигини ўлчаймиз.
- қаршиликнинг R=10кОм ва 3,3кОм қийматлари учун ўлчашларни такрорлаб тажриба натижаларидан фойдаланиб UЧИҚ=f(UКИР) боғлиқлик графикларини чизамиз.
4.1-жадвал
RЮ=56 кОм |
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RЮ=10 кОм |
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RЮ=3,3 кОм |
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n-МДЯ транзисторларда ясалган калит узатиш характеристикасини тадқиқ этамиз.
n-МДЯ транзисторларда ясалган калитни тадқиқ этиш учун VТ1 ва VТ2 транзисторлар сифатида К176ЛП1 микросхемадаги ихтиёрий транзисторларни ёки алоҳида калит схемасини оламиз.
n-МДЯ транзисторларда бажарилган калит схемаси. (Юкламада резистор) |
n-МДЯ транзисторларда бажарилган калит схемаси. (Юкламада транзистор) |
Ҳар бир калит учун мантиқий сигнал U0 ва U1 сатҳлари ва мантиқий сигналлар сатҳлар фарқи DU = U1 - U0ни аниқлаймиз.
4.2-жадвал
Параметр |
U0, В |
U1, В |
DU, В |
PЎРТ, мВ |
Қаршиликли юклама: |
|
|
|
|
Rю=56кОм |
|
|
|
|
Rю=10кОм |
|
|
|
|
Rю=3,3кОм |
|
|
|
|
КМДЯ-транзистор асосидаги инвертор |
|
|
|
|
Мантиқий ноль ва мантиқий бир ҳолатларида манбадан истеъмол қилинаётган қувватнинг ўртача қийматини аниқланг:
; .
Ҳисобот мазмуни.
- ўлчаш схемалари;
- олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;
- ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.
Назорат саволлари
1. Юклама сифатида қаршилик уланган калит параметрларининг юкламадаги қаршилик қийматига боғлиқлигини тушунтиринг.
2. Динамик юкламали МДЯ - транзисторли электрон калит схемасини келтиринг.
3. Бир турдаги МДЯ-транзисторли 3ҲАМ-ЭМАС ва 3ЁКИ-ЭМАС амалларини бажарувчи МЭ схемасини келтиринг ва уларни ишлашини тушунтиринг.
Лаборатория иши №5
Комплементар МДЯ-транзисторларида бажарилган
рақамли схемаларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: Комплементар МДЯ-транзисторларни калит режимида ишлаш хоссаларини ўрганиш.
Мантиқий сигналлар сатҳларини аниқлашда калитнинг узатиш характеристикаси UЧИҚ=f(UКИР) дан фойдаланилишига эътибор берамиз.
Комплементар МДЯ-транзисторларда
бажрилган калит узатиш характеристикаси
Мантиқий ноль U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқлаймиз.
DU = U1 − U0 мантиқий сигналларнинг сатҳлар фарқи деб аталади.
КМДЯ транзисторларда ясалган калит узатиш характеристикасини тадқиқ этамиз.
КМДЯ транзисторларда ясалган калитни тадқиқ этиш учун VТ1 ва VТ2 транзисторлар сифатида К176ЛП1 микросхемадаги ихтиёрий комплементар транзисторлар жуфтлиги ёки алоҳида калит схемасини оламиз.
VТ1 ва VТ2 лар сифатида К176ЛП1 микросхемадаги ихтиёрий комплементар транзисторлар жуфтлиги ёки алоҳида калит схемаси
5.1-жадвал
UКИР, В |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,5 |
2 |
2,5 |
3 |
3,5 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
UЧИК, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЧИК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Калит учун мантиқий сигнал U0 ва U1 сатҳлари ва мантиқий сигналлар сатҳлар фарқи DU = U1 − U0ни аниқлаймиз.
Мантиқий ноль ва мантиқий бир ҳолатларида манбадан истеъмол қилинаётган қувватнинг ўртача қийматини аниқлаймиз:
; .
Ҳисобот мазмуни:
- ўлчаш схемалари;
- олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;
- ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.
Назорат саволлари
1. Нима сабабли КМДЯ транзисторларда ясалган калит статик ҳолатларда манбадан қувват истеъмол қилмайди?
2. Комплементар МДЯ-транзисторли электрон калит схемасини келтиринг.
3. КМДЯ-транзисторли 3ҲАМ-ЭМАС ва 3ЁКИ-ЭМАС МЭлари схемасини тушунтиринг.
Лаборатория иши №6
Дешифраторларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: 2×4 дешифратор ишини тадқиқ этиш;
1. Иш бажариш юзасидан маълумотлар:
Иш бажаришдан аввал қуйидагилар билан таниишиб чиқиш тавсия этилади:
- мантиқий элементларнинг синфланиши, вазифаси ва хоссалари;
- дешифраторлар қурилиш принципи ва иш режимлари.
жадвал
Кириш Е |
КиришX1 |
Кириш Х0 |
Чиқиш Y0 |
Чиқиш Y1 |
Чиқиш Y2 |
Чиқиш Y3 |
0 |
0 |
0 |
|
|
|
|
|
0 |
1 |
|
|
|
|
|
1 |
0 |
|
|
|
|
|
1 |
1 |
|
|
|
|
1 |
0 |
0 |
|
|
|
|
|
0 |
1 |
|
|
|
|
|
1 |
0 |
|
|
|
|
|
1 |
1 |
|
|
|
|
Назорат саволлари
1. Мантиқий ўзгарувчи ва мантиқий сигнал нима ? Улар қандай қийматларни олиши мумкин ?
2. Мантиқий функция нима ?
3. Ҳақиқийлик жадвали нима ? Мисоллар келтиринг.
4. Қандай мантиқий элементлар негиз тўпламни ташкил этади ?
5. Дешифратор қандай мантиқий амалларни бажаради ?
6. Дешифратордаги бошқарув киришларининг вазифаси нимада ? Бошқарув сигналлар дешифратор чиқиш функцияларига қандай таъсир кўрсатади ?
Лаборатория иши №7
Мультиплексорларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: 4×1 мультиплексор ишини тадқиқ этиш.
Иш бажаришдан аввал қуйидагилар билан таниишиб чиқиш тавсия этилади:
- мантиқий элементларнинг синфланиши, вазифаси ва хоссалари;
- мультиплексорларнинг қурилиш принципи ва иш режимлари.
жадвал
Кириш Е |
Кириш A1 |
Кириш А0 |
Чиқиш У=Xi |
0 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
|
|
1 |
0 |
|
|
1 |
1 |
|
|
1 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
|
|
1 |
0 |
|
|
1 |
1 |
|
Назорат саволлари
1. Мантиқий сигналлар учун мультиплексор қандай электр қурилма вазифасини бажаради ?
2. Бошқарув киришларига эга бўлган 2x1 мультиплексор иши қандай мантиқий тенглама билан ифодаланади ?
Лаборатория иши №8
Триггерларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: асинхрон RS- триггера, икки поғонали JK- ва D- триггерлари, T-саноқ триггерлари ишини тадқиқ этиш.
Иш бажаришдан аввал қуйидагилар билан таниишиб чиқамиз:
- мантиқий элементларнинг синфланиши, вазифаси ва хоссалари;
- триггерларнинг синфланиши, ишлаш принципи ва уланиш схемалари.
Асинхрон RS-триггер ишини тадқиқ этиш
RS-триггер ишини тадқиқ этишда қуйдаги расмда келтирилган принципиал электр схемадан фойдаланилади.
RS-триггер ишини тадқиқ этишда қўлланиладиган
принципиал электр схема.
жадвал
Кириш R |
Кириш S |
Чиқиш Qn+1 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
|
1 |
0 |
|
1 |
1 |
|
жадвал
Чиқиш Qn |
Кириш R |
Кириш S |
Чиқиш Qn+1 |
0 |
X |
0 |
|
0 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
X |
|
JK-триггер ишини тадқиқ этишда қуйдаги расмда келтирилган принципиал электр схемадан фойдаланиланамиз.
JK -триггер ишини тадқиқ этишда
қўлланиладиган принципиал электр схема.
жадвал
Кириш J |
Кириш К |
Кириш С |
Чиқиш Qn+1 |
0 |
0 |
|
|
0 |
1 |
|
|
1 |
0 |
|
|
1 |
1 |
|
|
жадвал
Чиқиш Q1 |
Кириш J |
Кириш К |
Чиқиш Qn+1 |
0 |
X |
0 |
|
0 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
X |
|
Икки поғонали D-триггер ишини тадқиқ этиш
D-триггер ишини тадқиқ этишда қуйдаги расмда келтирилган принципиал электр схемадан фойдаланамиз.
D-триггер ишини тадқиқ этишда қўлланиладиган
принципиал электр схема
жадвал
Кириш D |
Кириш С |
Чиқиш Qn+1 |
|
0 |
|
|
|
1 |
|
|
жадвал
Чиқиш Qt |
Кириш D |
Чиқиш Qn+1
|
0 |
0 |
|
0 |
1 |
|
1 |
0 |
|
1 |
1 |
|
Т-саноқ триггери ишини тадқиқ этиш
Т-триггер ишини тадқиқ этишда қуйдаги расмда келтирилган принципиал электр схемадан фойдаланамиз.
Т-триггер ишини тадқиқ этишда қўлланиладиган
принципиал электр схема.
Назорат саволлари
1. RS-, JK-, D- и Т- триггерлар ишлаш принципини ифодалаб беринг.
2. Қандай қилиб JK- ва D- триггерлари ёрдамида саноқ триггерлари тузиш мумкин ?
3. Нима сабабдан Т-триггер саноқ триггери дейилади ?
Лаборатория иши №9
Ҳисоблагичларни тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: Асинхрон иккилик ҳисоблагич ва қайта ҳисоблаш коэффициенти 10 га тенг бўлган асинхрон ҳисоблагич ишларини тадқиқ этиш.
Иш бажаришдан аввал қуйидагилар билан таниишиб чиқиш тавсия этилади:
- мантиқий элементларнинг синфланиши, вазифаси ва хоссалари;
- импульс ҳисоблагич турлари, уларнинг ишлаш принципи ва қўлланиш хоссалари.
Асинхрон иккилик ҳисоблагич ишини тадқиқ этиш
Асинхрон иккилик ҳисоблагичи ишини тадқиқ этишда қуйдаги расмда келтирилган принципиал электр схемадан фойдаланамиз.
Асинхрон иккилик счетчиги ишини тадқиқ этишда қўлланиладиган принципиал электр схема.
Қайта ҳисоблаш коэффициенти 10 га тенг бўлган асинхрон ҳисоблагич ишини тадқиқ этишда қуйдаги расмда келтирилган электр схемадан фойдаланамиз.
Назорат саволлари
1. Қандай триггерлар асосида ва қандай қилиб иккилик ҳисоблагичини ясаш мумкин? Бунинг учун нима қилиш керак?
2. Йиғинди ҳисоблагичини айирув ҳисоблагичига қандай айлантирилади?
3. Ҳисоблагичнинг қайта ҳисоблаш коэффициенти нима?
4. Ҳисоблагичнинг қайта ҳисоблаш коэффициентини қандай усуллар билан ўзгартириш мумкин?
5. Олинган натижаларнинг сифати нималарга боғлиқ бўлади?
МУНДАРИЖА
1 |
ИМС тайёрлаш технологияси ва классификацияси билан танишиш............................................................................................. |
4 |
2. |
Биполяр транзистор асосидаги инверторни тадқиқ этиш.................................... |
7 |
3. |
Транзистор - транзистор мантиқ схемасида бажарилган рақамли схемаларни тадқиқ этиш................................................... |
9 |
4. |
Бир турдаги МДЯ- транзисторларида бажарилган рақамли схемаларни тадқиқ этиш.................................................... |
12 |
5. |
Комплементар МДЯ- транзисторларида бажарилган рақамли схемаларни тадқиқ этиш.................................................... |
15 |
6. |
Дешифраторларни тадқиқ этиш........................................................... |
17 |
7. |
Мультиплексорларни тадқиқ этиш...................................................... |
18 |
8. |
Триггерларни тадқиқ этиш................................................................... |
19 |
9. |
Ҳисоблагичларни тадқиқ этиш............................................................ |
25 |
|
|
|
|
|
|
СХЕМОТЕХНИКА
фанидан лаборатория ишлари
учун тарқатма материаллар
Э ва Р кафедраси мажлисида
тасдиқланган (39 – баённома, 3.06.14. й.)
ТТ факультет ИУК мажлисида
тасдиқланган (9 – баённома, 27.05.14. й.)
ТАТУ ИУК мажлисида
тасдиқланган (10(71) – баённома, 3.07.14 й.)
Тузувчилар:
Д.М. Мирхабибова,
А.К. Атаниязов,
Т.У. Нурмухамедова
Масъул муҳаррир _________ А.К. Атаниязов
Мусаҳҳиҳ _________ З.Б. Раджабова