Yarim o’tkazgichli diod harakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish

O’ZBEKISTON RECPUBLIKACI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKASIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

Elektronika va radiotexnika kafedrasi

ELEKTRONIKA

FANIDAN

LABORATORIYA ISHLARINI BAJARISH UCHUN

TARQATMA MATERIALLAR

Toshkent 2016

UDK 621.385.1

Aripova Z X., Toshmatov Sh.T.

Elektronika. LABORATORIYA ISHLARINI BAJARISH UCHUNTARQATMA MATERIALLAR TATU, 2016.

Mazkur laboratoriya ishlari to’plamida keng tarqalgan elektron va yarimo’tkazgich asboblar chiziqli va nochiziqli matematik modellari parametrlarini tajriba ma'lumotlari asosida aniqlash usullari berilgan.

1-laboratoriya ishi.

Yarim o’tkazgichli diod harakteristikasi va parametrlarini

tadqiq etish.

Ishning maqsadi: Yarim o’tkazgichli diod (YaO’D) asosiy harakteristikalari va parametrlarini hamda ularga tashqi muhit temperaturasi ta’sirini tadqiq etish.

1-rasm Yarimo`tkazgichli diod BAX ning tog`ri shohobchasini o`lchash sxemasi.

2-rasm Kommutasiya maydonida montaj sxemasi.

1Д507A diodining asosiy parametrlari

U_teskari(U_max) (V) - 30

U_{to’g’ri, max} (V) - 0,5 I_to’g’ri(A) – 0,05 da

I_{to’g’ri, max}(A) – 0.016

I_{to’g’ri, (imp)} (A) – 0.2 t_u(mkA) – 1 da

U_{teskari, max} (U_{teskari
max.})(V) - 20

I_{teskari, max} (I_{teskari
max. imp})(mkA) - 50

1-jadval

Yarimo`tkazgich diodning BAX to`g`ri shahobchasi va parametrlari.

O’lchash	I_to’g’ri,mA	0	0.2	0.4	0.6	0.8	1	2	4	6	8	10	12	14	16	18	20
O’lchash	U_to’g’ri,V
Hisoblash	R_statik,Om
	R_diff.,Om
	ln I_to’g’ri
	U_appr.,V

2-jadval

Yarimo`tkazgich diodning BAX teskari shahobchasi va para

parametrlari.

O’lchash	I_teskari,mkA
O’lchash	U_teskari,V	0	0,5	1	3	4	6	7	8	9
Hisoblash	R_st, Om
Hisoblash	R_diff,Om

3-rasm

4-rasm

5-rasm

6-rasm

7-rasm

Ishchi formulalar:

(1)

(2)

(3)

Nazorat savollari

1. Yarimo`tkazgich diod to’yinish toki qanday fizik mohiyatga ega?

2. Ideal yarimo`tkazgichli diod BAXsining tenglamasini yozing va undagi parametirlarining fizik manosini tushuntiring?

3. Diodga qoyilgan kuchlanish qiymati va qutbi undagi p-n otish kengligiga qanday tasir korsatadi?

4. Diodning electr modeli sxemasini chizing. Sxemadagi elementlar va ularning parametirlarini tushuntiring?

5. Germaniyli va kremniyli diodlarning VAXsi bir hil sharoitda farqli bolishiga sabab nima va u diodlarning qaysi parametirlari bilan ifodalanadi?

6. Yarim otkazgichli diod electr modeli parametirlarini tajribada qanday aniqlash mumkin?

2-laboratoriya ishi

Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Elektr teshilish rejimida diod tokini unga qo’yilgan teskari yo’nalishdagi kuchlanish bilan bog’liqligini tajriba usuli bilan aniqlash va bu bog’lanishni approksimatsiyalovchi chiziqli funktsiya parametrlari qiymatlarini hisoblash.

8-rasm

Yarimo’tkazgichli stabilitron VAX-sini o’lchash sxemasi.

9-rasm

Kommutatsiya maydonida montaj sxemasi.

Д814B stabilitronining asosiy parametrlari:

O’zgarmas kuchlanishni stabilizatsiyalash uchun mo’ljallangan, metall shishali korpusda joylashgan, stabilitron massasi - 1g.

Elektr parametrlari:

U_st.nom(I_st=5 mA) = 9V

U_stning o’zgarishi I_st=5 mA da 8.0 – 9.5 V

U_to’g’ri(I_to’g’ri=50 mAda ) 1 V dan ko’p emas

R_dif (I_to’g’ri=5 mAda ) 10 Om

Elektr chegaraviy parametrlari:

I_{st. max} – -60^oC dan +35^oC gacha 36 mA

I_{st. min}– 3 mA

P_soch – -60^oC dan +35^oC gacha 340 mVt

3-jadval

I_st, mA	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	2	4	6	8	10	15	20
U_st, V
E_M, V

10-rasm

Yarimo’tkazgichli stabilitron VAX-si Ishchi formulalar:

E_M= {variant bo’yicha}

R_yuk=2 kOm

R_dif=

K_st=

Nazorat savollari.

1. p-n o’tishdagi asosiy teshilish turlarini ayting.

2. Stabilitronlarda qaysi teshilish turlari qo’llaniladi?

3. Stabilitron VAXsini chizing. Uninig shaklining turli qisimlari qaysi fizik jarayonlar orqali ifodalanadi?

4. Stabilitroning asosiy elektr parametrlarini ayting va ularning fizik ma’nosini izohlang.

5. Nima uchun stabilitronlarni tayyorlashda dastlabki material sifatida germaniy emas kremniy qo’llaniladi?

6. Stabilitron tokininig yuqori qiymati cheklanishiga qanday omil sabab bo’ladi?

7. Stabilitron VAXsini o’lchash sxemasini chizing.

3-laboratoriya ishi:

Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorni VAXlarini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.

11-rasm

Umumiy baza sxemasidagi bipolyar tranzistor statik xarakteristikalar oilasini o’lchash sxemasi.

12-rasm Kommutatsiya maydonida montaj sxemasi.

1. Chiqish harakteristikalar oilasi:

4-jadval

	0	1	2	3	4	4,5

5-jadval

	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	9,5

6-jadval

	0	1	2	3	4	5	6	8	10	12	14	14,5

2. Kirish xarakterisitikalar oilasi:

7-jadval

, mA	0	1	2	3	4	5	6	8	10	12	14	16
,V

8-jadval

, mA	0	1	2	3	4	5	6	8	10	12	14	16
,V

9-jadval

Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorninig statik elektrod xarakteristikalari

	1	2	3	4	5	6	7	8	10	12
0
5
10
15

13-rasm

Bipolyar tranzistorning umumiy baza ulanish sxemasida chiqish xarakteristikalar oilasi.

14-rasm

Bipolyar tranzistorning umumiy baza ulanish sxemasida kirish xarakteristikalar oilasi.

Ishchi formulalar:

Nazorat savollari.

1. BTni UB ulanish sxemada ishlash printsipi, emitter va kollektor p-n o’tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo’nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.

3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo;nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.

4. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo’ladi.

5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to’yinish sohalirini ko’rsating.

6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.

7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?

4-laboratoriya ishi:

Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorni VAXlarini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish..

15-rasm

Umumiy emitter sxemasidagi bipolyar tranzistor statik xarakteristikalar oilasini o’lchash sxemasi.

16-rasm

Kommutatsiya maydonida montaj sxemasi.

МП37Б bipolyar tranzistorining asosiy elektr parametrlari:

Подпись: n-p-n strukturali
(mWt) - 150
(мГц) - 1
Utestesh – 30 V
(мА) - 20

Подпись: (мА) – 150
(мкА) ≤ 30 (5В)
(5В: 1мА)
rb (Ом) ≤ 220

10-jadval

Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorninig statik elektrod xarakteristikalari

	0	1	2	3	4	5	6	7	8	10	12
0,05
0,1
0,15
0,2

1. Chiqish harakteristikalar oilasi:

17-rasm

2. Kirish harakteristikalar oilasi:

Ishchi formulalar:

Nazorat savollari.

1. BTni UB ulanish sxemada ishlash printsipi, emitter va kollektor p-n o’tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo’nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.

3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo;nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.

4. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo’ladi.

5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to’yinish sohalirini ko’rsating.

6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.

7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?

5-laboratoriya ishi.

Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalini tadqiq etish.

Ishning maqsadi: Maydoniy transistor statik xarakteristikalari va diferensial parametrlarini o’rganish , tranzistor ishiga temperaturaning tasirini tadqiq etish.

19-rasm

20-rasm

MT statik xarakteristikalar oilasini o’lchash sxemasi.

Kommutatsiya maydonida montaj sxemasi.

КП303Е maydoniy tranzistori asosiy parametrlari:

(mA) ≤ 20

(mA) – 5.0

S (mA/V) ≥ 4

(пФ) ≤ 6

(пФ) ≤ 2,0

(ДБ) ≤ (100 мГц)

p-n o`tishli va n kanalli MT

(Wt)-200

(V) ≤ 8

(V)- 25

(V)- 30

(mA) - 20

10-jadval

	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
0
-0,5
-1
-1,5
-2
-2,5

Stok harakteristikalar oilasi

21-rasm. Stok harakteristikalar oilasi

Stok-zatvor harakteristikalar oilasi

21-rasm Stok-zatvor harakteristikalar oilasi

Ishchi formulalar:

Nazorat savollari.

1.Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tasvirlang va ishlash mexanizmini tushuntiring.

2.Maydoniy transistor ish rejimlarini aytib bering. Har qaysi rejimda transistor zatvori va stoki orasidagi kuchlanish munosabatlari qanday boladi?

3. Maydoniy tranzistorlarda qanday differentsial parametrlar tizimi qollaniladi v anima sababli?

4. Zatvori p-n otish bilan boshqariladigan maydoniy transistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang va tushuntirib bering.

5. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy transistor chiqish xarakteristikasini tasvirlang oilasini tasvirlang va tushuntirib bering.

6. Turli temperaturalarda o’lchangan zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoni transistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang.Bu xarakteristikalarda temperaturaga barqaror nuqtalarning mavjudligi nima bilan tushuntiriladi?

6-laboratoriya ishi.

Optronni tadqiq etish.

Ishning maqsadi: Optronlar ishlashini va parametrlarini o’lchash uslublarini o’rganish.

22-rasm. Optronni o’lchash sxemasi

23-rasm. Kommutatsiya maydonida montaj sxemasi

AOT101AC optronining asosiy parametrlari:

Kirish kuchlanishi 1.6 V

bo`lganda

R _yu=100 Om

O’zgarmas kirish toki 20-15 mA

Teskari kirish kuchlanishi -1,5 V

Chiqish kuchlanishi - 15 V

Chiqish o`zgarmas yoki o`rtacha tok - 5 mA

12-jadval

, V , mA	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
0
2
4
6

13-jadval

, mA

0.2

0.4

0.6

0.8

24-rasm. Fototransiztorning chiqish harakteristikalari oilasi

25-rasm. Optronning kirish harakterikasi

Nazorat savollari.

1.Ichki fotoeffekt deb qanday hodisaga aytiladi?

2. Diod fototoki hosil bolish jarayonini tushuntirib bering. Bu jarayonni qaysi parameter izohlab beradi?

3. Nima sababli fototranzistor sezgirligi fotodiod sezgirligidan yuqori?

4.Fotodiod inertsionligi sababi nima?

5.Fototranzistor inertsionligiga sabab nimada?

6. Yoruglik diodi ishlash printsipini tushuntirib bering.

7. Nima uchun optronlar elektr zanjirlarni ajratishda qollaniladi?

MUNDARIJA

1-laboratoriya ishi: Yarim o`tkazgichli diod xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish………………………………………………….	3
2-laboratoriya ishi: Stabilitronni tadqiq etish……………………………………	8
3-laboratoriya ishi: Bipolyar tranzistorni umumiy baza sxemada tadqiq etish….	10
4-laboratoriya ishi: Bipolyar tranzistorni umumiy emitter sxemada tadqiq etish…………………………………………………………	13
5-laboratoriya ishi: p-n o`tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tadqiq etish …………………………………………………	16
6-laboratoriya ishi: Integral optronlarni tadqiq etish…………………………….	23

Aripova Z X., Toshmatov Sh.T.

Elektronika. Laboratoriya ishlari uchun uslubiy ko’rsatmalar. TATU, 2016.

2015-2016 o`quv yili nashri

Aripova Z X., Toshmatov Sh.T.

Elektronika. LABORATORIYA ISHLARINI BAJARISH UCHUNTARQATMA MATERIALLAR TATU, 2016.

ELEKTRONIKA

fanidan

laboratoriya ishlarini bajarish uchun tarqatma materiallar

Билим соҳаси:	300 000 -		Ишлаб чиқариш-техник соҳа
Таълим соҳаси:	350 000 -		Алоқа ва ахборотлаштириш, телекоммуникация технологиялари
Таълим йўналиши:	5350100-	Телекоммуникация технологиялари (Телекоммуникация технологиялари, телерадиоэшиттириш, Мобил тизимлар)