O¢ZBEKISTON ALOQA VA AXBOROTLASHTIRISH AGENTLIGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

Жильцова О. А., Султанова М. О.

Радиоалоқа қурилмалари ва тизимлари кафедраси

“Emitter qaytariluvchilarni tadqiq qilish”

Laboratoriya ishining tavsifi

(Laboratoriya ishi)

Toshkent-2008

Mundarija

1. Ishning maqsadi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

2. Vazifa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

3. Asosiy nazariy ma¢lumotlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

3.1.Qaytargichlar OOS li kuchaytirgich sifatida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

4. Laboratoriya qurilmasi tavsifi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

5. Ishlarni bajarish uchun uslubiy qo¢llanma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

6. Hisobot tarkibi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

7. Nazorat savollari va vazifa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Hisobot (Ilova) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Adabiyotlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Laboratoriya ishi

Emitter qaytariluvchilarni tadqiq qilish

1. Ishning maqsadi

Emitter qaytariluvchilarni turli sxemalarini o¢rganish va ularning xususiyatlarini tadqiq qilish.

2. Vazifa

2.1.Ishga tayyorgarlik ko¢rish.

2.1.1. (1). 76-77 b, 82-86 b. . . . . . . . . . adabiyotlarni o¢rganish.

-Xususiy kollektor (yig¢uvchi) sxemasi xususiyatlariga;

-Oshirilgan chiquvchi qarshilikni EQ sxemasi xususiyatlariga;

-Tarkibiy EQ (Darlington sxemasi) sxemasiga, uning kiruvchi va chiquvchi qarshiligiga; e¢tibor berish lozim;

2.1.2. Tadqiq etilgan kuchaytirgich stendi va sxemasi tavsifi bilan tanishish.

2.2.Tajriba o¢tkazish.

2.2.1. Oddiy (odatiy) EQ sxemasini tadqiq etish;

- Kuchaytirgichning kuchaytirishni (skvoznoy) og¢uvchi koeffitsientini o¢lchash;

- Kuchaytirgichning kiruvchi va chiquvchi qarshiligini o¢lchash;

- Kuchaytirgichning ACHX tasvirini olish.

2.2.2.Murakkab bo¢luvchini EK sxemasi tadqiq qilish.

- Kuchaytirgichning kiruvchi qarshiligini o¢lchash.

2.2.3.Murakkab bo¢luvchini tarkibiy EK sxemasini tadqiq qilish.

- Kuchaytirgichning kiruvchi va chiquvchi qarshiligini o¢lchash.

- Kuchaytirgichning ACHX tasvirini olish.

3. Asosiy nazariy ma¢lumotlar

Umumiy kollektorni (UK) tranzistorni qo¢shish sxemasi ozida yuklama emitter zanjirida yoqilgan sxemani aks ettiradi. Ushbu xolatda kiruvchi qarshilik ozida kollektor otuvchining qarshiligini ozida aks ettirsa, chiquvchi qarshilik esa-emitter otuvchining qarshiligini korsatadi. Shunday qilib, kirish toki baza toki, chiqish toki esa emitter toki hisoblanadi.

Sxema kuchlanish bo¢yicha yuz foizli (to¢liq) ketma-ket manfiy teskari aloqaga (MTA) ega, bu esa kaskadning kuchlanishini kuchaytirish koeffitsientini va uning garmonik koeffitsientini kamaytiradi, hamda ortayotgan kirishda uning chiquvchi qarshiligini kamaytiradi signal manbayi va yuklama qarshiligi o¢zgarganda ushbu qarshilik ham o¢zgaradi. Bunda kaskadning kiruvchi dinamik sig¢mi ham kamayadi. Chuqur MTA kiritilganda sifat ko¢rsatkichlari ham yahshilanadi. UK li tranzistordagi teskari aloqaning yuqori chuqurligi natijasida kiruvchi va chiquvchi qarshiliklar juda keng oraliqda o¢zgaradi.

Agar umumiy emitter va umumiy bazada kiruvchi va chiquvchi qarshiliklar faqatgina bir necha marotaba o¢zgarsa umumiy kollektorda esa - bu bir necha yuz eki ming marotaba sodir bo¢ladi, shuning uchun ushbu sxemani moslashtiruvchi eki bog¢lovchi zanjir sifatida ishlatish mumkin.

UK li tranzistorning kiruvchi va chiquvchi qarshiligi R_нан<<R_нб va R_нб<<R_ли (bu erda R_нб –kollektor o¢tishining qarshiligi, R_ли – kollektordan emitterga o¢tish qarshiligi) xolatda quyidagi shakl orqali juda to¢g¢ri aniqlanadi.

R_кir.УК = r_б+(1+h_у)R_e~ » h_11э+(1+h_у)R_e~ ; (1.1)

R_chiq.УК » r_е+(r_б+R_ман) / (1+h_у) » h_11е+(1+h_у) » r_е; (1.2)

bu erda R_e~ – emitter zanjiri bo¢yicha signalda yuklama qarshiligi

h_у – tranzistorga tok uzatish koeffitsienti

r_e–emitter o¢tishining differentsial qarshiligi

r_б–fazaning xajm qarshiligi

R_ман–signal manbasining ichki qarshiligi

h_11e–UE li tranzistorning kiruvchi qarshiligi

R_кir.УК.R_chiq.УК–UK li sxema bo¢yicha kiruvchi va chiquvchi qarshilik.

Bundan kelib chiqqan xolda reaktiv tashkil etuvchilar quyidaziza teng bo¢ladi.

L_chiq.УК » 0,16(r_б+R_ман) / f_т; (1.3)

С_chiq.УК » 0,16 / (r_е+R_ли); (1.4)

С_кir.УК » С_к (1+к) (1.5)

bu erda f_т–tranzistorni kuchaytirishning ortiqcha (chegaraviy) chastotasi

C=C_chiq.УК–bu erda juda kam, chunki tranzistorning yuqori qarshiligi past. Bunday yoqilishda kaskad xususiyatlariga ta¢sir bo¢lmaydi.

C_кir.УК–UK li sxemaning kiruvchi dinamik xajmi.

UK li tranzistorni yoqish sxemasining elimentlari miqdori (1 a va 1 b rasmga qarang) mos xolda ekvivalent sxemada keltirilgan.

a) b)

Rasm 1. UK li tranzistorning ekvivalent sxemasi.

a) kiruvchi zanjir

b) chiquvchi zanjir

3.1. Qaytaruvchilar MTA li kuchaytirgichlar sifatida

UK sxema bo¢yicha ulangan tranzistordazi kuchaytirish kaskadi. Emitter qaytaruvchi deb ataladi, chunki kuchaytirish chiqishdagi kuchlanish miqdori va faza bo¢yicha kirishdazi harakatdagiga yaqin va uni qanday takrorlamang shundayligicha qoladi. Emitter qaytaruvchini unda MTA paydo bo¢lishi noqtai nazaridan kelib chiqqan xolda ko¢rib chiqamiz. 2-rasmga qarang.

Rasm 2. Emitter qaytaruvchining printsipial sxemasi.

Bu erda o¢zgaruvchan tok uchun yuklama qarshiligi. RN va Re rezistorning paralel qarshiligi hisoblanadi.

R_ли = R_yuR _е /(R_yu+R _е); (1.6)

Emitter I chiqaruvchi toki R chiqaruvchi R kiruvchi zanjirga ulangan qaytaruvchiga ta¢sir etuvchi kuchlanishni hosil qiladi, ya¢ni teskari aloqaning kuchlanishi U_TA hisoblanadi. U_TA U_к bo¢lgani uchun, ya¢ni ular chiquvchi kuchlanishga bog¢liq bo¢ladi, bu erda U_TA olish usuli kuchlanish bo¢yicha bo¢ladi, U_TA tranzistor kirishiga ketma-ket ulangani uchun, U_TA uzatish usuli ketma-ket bo¢ladi. Ushbu sxemada VT tranzistor bazasi C_P va E_s orqali R_e oxiriga ulanadi, bunda esa chiquvchiga teskari bo¢lgan fazalar belgisi bo¢ladi. (tranzistor bazasi va emitteri har doim bir hil fazaga ega bo¢ladi) Shunday qilib kaskadda kuchlanish bo¢yicha ketma-ket 100% MTA kuzatiladi, bu erda β – teskari aloqa zanjiri bo¢yicha uzatish koeffitsienti va β=U_TA / U _chiq teng bo¢ladi. 1 teng bo¢lganda chiqishning barcha kuichlanganliklari kaskadning teskari aloqa (TA) kuchlanganligi ko¢rinishida tushadi. Agar kuchlanganlik bo¢yicha ketma-ket MTA uchun kuchlanish koeffitsienti ko¢rinishini MTA chuqurlik miqdorini qo¢ysak, u holda,

F=1+U_chiq / U_кir =1+I_еR_e~ / U_кir =1+S_еU_кirR_e~ / U_кir = 1+S_еR_{e~ ;} (1.7)

teng bo¢ladi

Bu erda: S_e – tranzistorning emitter tokining egriligi (spravochnik) (so¢rovnoma ma¢lumotlari) bu xolda emitter qaytargichning kuchlanishi bo¢yicha 100% MTA hisobiga olgan xolda kuchlanish koeffitsienti uchun quyidagi ifoda olinadi (β=1)

K _eq= K/(1+K)=S_eR_e~ / (1+S_eR_e~); (1.8)

S_e miqdorni qo¢yib (2)

K _eq = R_e~ / (r_е+R_e~); (1.9) ega bo¢lamiz

Amaliyotda (haqiqatda) K_eq =1 ya¢ni ushbu kaskaddagi chiqish kuchlanishi chiqishda аmplituda va faza bo¢yicha takrorlanadi. Bu teng xolda istokovoy(?) va katodli qaytargichlarga ham tegishlidir. MTA kuchlanish b¢oyicha ketma-ketlikning mavjudligi sababli qaytargichning kiruvchi qarshiligi (umumiy katodli, umumiy istokli va umumiy katodli sxemali) TA chuqurligi taxminan mos miqdorda ortadi, bu esa ularni zanjirlarni moslashtirish uchun ishlatish imkoniyatini beradi. ------ agar qaytargich kirishida bazada arakashuvni yaratish uchun ajratish bo¢lsa, qaytargichning kiruvchi qarshiligi kamayadi; chunki

R=R_kir.eq R / (R_kir.eq+R); (1.10)

bu erda

R=R₁R₂ / (R₁+R₂); (1.11)

R₁ va R₂ – ajratuvchining qarshiligi (3 va 4 rasmga qarang)

Bu xolatda qaytargich hususiyati yo¢qotikadi, ammo kirish qarshiligi yuqoridir. Istokli va katodli qaytargichlarning printsipial sxemasi mos xolda 3 va 4 rasmda keltirilgan. Ushbu aloqa tizimlarida keng foydalaniladi.

3 rasm. Istokli qaytargich 4 rasm. Katodli qaytargich.

Ushbu laboratoriya ishida biz emitter qaytargichni (EQ) tadqiq etamiz, chunki o¢zining ijobiy xususiyatlariga ko¢ra (kaskadda nochiziqlikni, chastotali, fazali va o¢tuvchi so¢nishlarni kamaytirishi va boshqalar).EQ nam. Qarshilikli (masalan kabel) yuk___da ishlovchi impul¢sli va keng polosali kuchaytirzichlar sifatida keng ishlatilmoqda.Ajratgichni UK kaskad kirishiga qo¢shish bilan (2 rasmga qarang) aralash emitterli stabilizatsiya UK kaskadning yuqori kirish qarshiligini kamaytiradi, chunki endi ular UK kaskadning kiruvchi qarshiligini R ajratgichning qarshiligiga paralel ulanishiga teng bo¢ladi. (1.11 fo¢rmulaga qarang).

Kirish qarshiligini oshirish uchun maxsus sxemalar qo¢llaniladi;

1) kirishda murakkab ajratkichli emitter qaytargichlar

2) qo¢shilma TA kiritish hisobiga oshirilgan kirish qarshiligini emitter qaytargichi

3) kirishda murakkab ajratishli tarkibiy emitter qaytargich

2 rasmda keltirilgan oddiy emitter qaytargichning sxemasini va uni hisob formulalarini ko¢rib chiqamiz (UK sxema bo¢yicha ulangan tranzistor uchun)

1) kuchlanganlik bo¢yicha kuchlanish koeffitsienti

K _u=U_chiq / U_kir =U_kem /(U _bem+U _{chiq m})<1, (U=U _{chiq m}=U _kem); (1.12)

K _{u h} tranzistor parametri orqali ifodalaymiz

U _bem=h _11e J _{b m} ,

U _{ke m}=R _yu J _em =R _yu(J _km +J _bm)=R _yu (1+h _21e) J _{bm ,}

bu erda J _em ,J_km ,J _bm - tranzistorning mos toklari ya¢ni J _km / J _bm=h _21e . bundan

K _u=(1+h _21e)R _yu / [h _11e+(1+h _21e)R _yu] ; (1.13)

2) tok bo¢yicha kuchlanish koeffitsienti

K _i=J _em / J _{b m}=(J_bm +J _km) / J _bm >1 (1.14)

R _yu=0, K _i = 1+h_21e=½h_21k½ bo¢lganda (1.15)

3) qaytarzichning kirish va chiqish qarshiligiga mos xolda (1.10) va (1.13) formulalar bo¢yicha hisoblanadi. Formulalar tahlili shuni ko¢ksatadiki, qaytargichning kirish qarshiligi yuqori, chiqishi esa kam.

4) Qaytargichlarda yuqori kirish qarshiliginni olish uchun murakkab ajratgichlardan foydalaniladi (5 rasmga qarang)

5 rasm. Kirishda murakkab ajratgichli emitter qaytargich .

Ushbu xolatda R , rezistor, R rezistor yordamida o¢zgaruvchan to¢k bo¢yicha 6-o¢tishga ulanish amalga oshiriladi va kam to¢k iste¢mol qilinadi, bu esa qarshilikni R= marotaba oshishga ekvivalent bo¢ladi. Nisbatan kam chiqish qarshiligini va kuchlanish bo¢yicha kuchlanganlik koeffitsientini bunga juda yaqinligini xuddi o¢sha kuchaytirzich elementlali yordamida murakkab qaytargichlardan olish mumkin. [2] masalan 6 rasm.

Uning printsipial sxemasi ketma-ket boshqariladigan kuchli kuchlanishli transformatorli ikki taktli kaskaddan farqlanmaydi, ammo rezistor qarshiligini R sxema ikki taktli ishlashi mumkin boLgan emas, balki yuqoriroq miqdorini olamiz.

Murakkab qaytargichning kirish va chiqish qarshiligini, kuchlanish va to¢kning kuchlanganlik koeffitsientini, garmonik koeffitsientini oddiy qaytargichlar formulalari bo¢yicha aniqlash mumkin, bunda etakchi tranzistorning S krutiznasi (1+K₁) marotaba ishlayotgan tranzistordan katta, bu erda K- etakchi kuchlanuvchi ekement ( tranzistor)ning kuchlanish koeffitsienti.

6- rasm. Murakkab emitter qaytaruvchi.

Kirish qarshiligining etarli yuqori darajasi ayiruvchi (bo¢luvchi)li ketma-ket tranzistor bazasi zanjirini rezistor yuritish bilan aralashtirish sxemasini beradi.

Rasm 7. Ortirilgan (kuchaytilgan) kirish qarshilikni Emitter qaytargich.

R pastki qismi yuqori sig¢imi C kondensator orqali emitter zanjiriga ulangan. C sig¢imi miqdori quyidagi ifodadan past oshmaydi.

[(1…2)R ₁+R ₂]R ₁R ₂ / f _p

Bu erda f _p-kuchaytirilayotgan chastota diapazoninig pastki chastotasi. Pastki ishchi chastotada qaytargichning kirish qarshiligining past (kam) sig¢imini tanlashda f kuchi kamaytiriladi. R2 qarshilikda MTA paydo bo¢ladi, bu qaytargichning kirish qarshiligini oshirishgacha imkon beradi, chunki n₃ ga U va U kuchlanishlar yig¢indisi ilova qilingan, u holda bu ushbu qarshilikni mos holda U / U marotaba oshirishga olib keladi ya¢ni

[U _kbm /(U _kbm - U _kem)]-[1/(1-K)] marta

bu erda K =U _kem / U _kbm

Ushbu qaytargichning kirish qarshiligi R _kir va (R_e/(1-K))+(R₁R₂/R₁+R₂) paralel ulanishning qarshiligiga teng bo¢ladi.

R=[R _kir(R₃/(1-K)+R₁R₂/(R₁+R₂))] / [R_kir+(R₃ / (1-K)+R₁R₂/(R₁+R₂))] ; (1.16)

qarshiligi ham birmuncha o¢zgaradi va

R_chiq= [R+RR₃/(R+R₃)]/(1+h _21e) teng bo¢ladi.

Kirish qarshiligini oshirish va kirish sig¢imi kamaytirish uchun 8 rasm kirishdagi murakkab bo¢luvchi (ayiruvchi)li tarkibli emitter qaytargich ishlatiladi.

8 rasm Kirishda murakkab bo¢luvchi (ayiruvchi)li tarkibli emitter qaytargich.

Ushbu sxemada VT₁ va VT₂ tarkibiy rezistorlar UK li sxema bo¢yicha ulangan va u Darlington juftligini yuklantiradi.

h _{21 bk} = h _21,1e+h _21,2e+h _21,1e+h _21,2e; (1.17)

Ushbu holatda u darlington juftligining kirish qarshiligi

h _11b = h_11,1e+(1+h_21,1e)h _11,2e ; (1.18) teng

to¢k bo¢yicha uzatish koeffitsienti;

h _21d = h_21,1e+(1+h _21,1e)+h _21,2e ; (1.19)teng

Oldingi holatga bo¢yicha kaskadning kirish qarshiligi

R_kir=h_11д+(1+h _21д)R _yu~ ;

R_{kir okд}=R_kir R_{kir um} / (R_kir+R_{kir um} ); (1.20) teng

chiqish qarshili:

R_{chiq okд}=r_e2+r_b2/ (1+h_21,2e)+[(R_г+R_{kir oe1} ) / (1+h_21,1e)(1+h_21,2e)]; (1.21) (R_{kir oe1} =h_{11 oe})

4. Laboratoriya qurilmasining tavsifi.

Laboratoriya maketi pechat plata ko¢rinishida umumiy laboratoriya ustunining olinuvchi panelida yog¢ilgan maket emitter qaytargichning keng tarqalgan uchta sxemalarini tadqiq qilish imkonini beradi. (2,5,8-rasm) Maketning funktsional sxemasi 9 rasmda aks ettirilgan.

9 rasm Laboratoriya ishining funktsional sxemasi.

Funktsional sxemadaprintsipial sxemaning asosiy elementlari soddalashtirilgan shaklda aks ettirilgan, ya¢ni tranzistorlar ta¢minoti zanjiri __________, barcha tranzistorlar AI blok tarkibiga kiritilgan, EQ turli sxemalarning elementlari va kommutatsiya zanjiri u 53 sxemani qo¢shish bloki tarkibiga kiradi.

Qo¢shuvchilarning vazifalari:

1) SZ qo¢shuvchi (yoquvchi) (sxemani yoqish) EQ uch sxemasini shakllantirish imkonini beradi.

-1 Holat-Odatiy EQ sxemasi (2 rasm)

-2 Holat-Kirishda murakkab detalli EQ sxemasi (5 rasm)

-3 Holat-tarkibiy EQ sxemasi, ya¢ni Darlington sxemasi (8 rasm)

2) SI qo¢shuvchi manbaning ichki qarshiligini___________

-«750m» holat – R.. =600m

-«uchir» holat – R₃=300 Om R = 75 Om uchiriladi.

3) S2 (R ) qo¢shuvchi tadqiq etilayotgan EQ bog¢liq holda R signal mandai qarshiligi aniq bir miqdorni yaratadi.

-1 holat - R_I=0 barcha uchala EQ sxemalari uchun (S3 holat –1,2,3,)

-2 holat

a) R₁=5,1 kOm birinchi sxema uchun (2 rasm) (S3 holat-1)

b) R_I =5,1 kOm ikkinchi sxema uchun (5 rasm) (S3 holat-2)

v) R_I=100 kOm uchinchi sxema uchun (8 rasm) (S3 holat-3)

4) «Per j_o» tugmasi 20 mA teng bo¢lgan kollektor j tokini har qahday tadqiq etilayotgan sxemada o¢rnatish imkonini beradi.

5) S4 qo¢shuvchi yuklanishning turli qarshilikni yaratadi.

-1 holat –R =300Om

-2 holat –R =150 Om

-3 holat –R =75 Om

5. Ishni bajarish uchun uslubiy qo¢llanma.

1. Barcha sxemalar uchun (S3 holat-1,2,3) oldingi ____ chiqarilgan «Per j_o» qarshiligini qo¢lda to¢g¢rlash lozim, «tok iste¢moli» qurilmasidagi tokni 20 mA qilib o¢rnatish lozim.

2. Siljuvchi kuchaytirish koeffitsientni 14 kGts kuchlanganlikni chastotasini ulash, kirishdazi signal manbai E₁=113 O¢lchov R₁=0 (S2 holatda-1) va R₂ miqdorda 150 Om va 750 m teng holatlarda olib boriladi (S4 holat-2 va 3 mos holatda). Siljuvchi kuchaytirish koeffitsienti quyidagi formula bo¢yicha aniqlanadi.

K=U₂/E₁

3. Barcha uch sxema uchun kirish qarshiligini o¢lchashda EQ yoqish 10 rasmda ikki sxema ushun aks ettirilgan (S3 holat-1,2,3)

tuzilmaviy sxema bo¢yicha E₁=113 va γ₂ =1 kGts holatda amalga oshiriladi:

1) R-75 Om R₁₌₀ va 5.1 kOm ( holat-3, S2 holat-1,2 mos holda)

2) К =150 Om, R_T-0 va 5.1k Om, (S4 holat –2, S2 holat-1.2)

Rasm 10. Kirish qarshiligini ulashning tuzilmaviy sxemasi

bu erda: P₁ – kirishdagi generator, AI-tadqiq etilayotgan kuchaytirgich

P₂ – ostsilogrov: PV₁ va PV₂ –voltmetrlar, R_r –qoshimcha qarshilik

Olingan barcha malumotlarni uchala tadqiq etilayotgan sxema uchun jadvalga kiritish lozim.

4. EQ (S3 holat-1.2.3) yoqishni uchala sxema uchun ham chiqish qarshiligini o¢lchash, 11 rasmda keltirilgan ikkala holat uchun tuzilmaviy sxema bo¢yicha kirishga E₁ =1 B va γ_o=1 kGts

1) R_r =0 (S2 holat – 1) va R₂=15 Om (R15) va 75 Om (r16) S (S4 holat –2.3)

2) R =33 Om (S2 holat-4) va R =150 Omn (R15) va 750 (R16) (S4 holat – 2.3)

11 rasm. Chiqish qarshiligini o¢lchash uchun tuzilmaviy sxema.

bu erda: S4- yuklama qarshiligini chiqish zanjiriga ulovchi tugma.

S4 2 holat uchun (R –150 Om va 75 Om yuklamani mos ulanishda, U₂ va U₂ toping)

Kaskadning chiqish qarshiligi quyidagi formula orqali topiladi.

R_chiq =(U₂’-U₂) / [(U₂/R₁₆)-( U₂’/R₁₅)];

5. Kirishga E₁=1 B va f_o =1 kGts etkazilganda EQ yoqishning barcha uchala sxemasi ACHX o¢chirish (S3 holat-1.2.3)

Barcha o¢zgarishlar va hisoblangan natijalarni jadvalga kiriting.

EQ yoqishning barcha uchala sxemasi uchun ACHX chiziq.

6. Hisobot tarkibi

Hisobot quyidagilarni o¢z ichiga olishi lozim.

1) Oddiy EQ, murakkab bo¢luvchini EQ printsipial sxemasi.

2) Tarkibiy EQ sxemasi

3) Jadval va grafik shaklida tasvirlangan o¢lchov natijalari

3) O¢lchov natijalari bo¢yicha xulosalar.

7. Nazorat savollari va vazifalar

1. Sxemaning barcha elementlarining vazifasini tushuntiring.

2. Ech kirish qarshiligini yuklama qarshiligiga bog¢liqligini tushuntiring.

3. Kirish qarshiligini chastotadan bog¢liqligini tushuntiring.

4. Ech kirish qarshiligini signal manbai qarshiligiga bog¢liqligini tushuntiring.

5. Chiqish qarshiligini chastotagabog¢liqligini tushuntiring.

6. Nima uchun murakkab bo¢luvchini EQ chiqish qarshiligi oddiy EQ sxemadan ko¢p (yuqori) tushuntirib bering.

7. Nima uchun tarkibli Eq chiqish qarshiligi oddiy EQ sxemasidan yuqori tushuntirib bering.

8. O¢rta va yuqori chastota oblastlari uchun oddiy EQ ekvivalent sxemasini tasvirlang?

9. Nima uchun UK sxemasi bo¢yicha ulangan tranzistorning kirish qarshiligi yuqori, chiqish esa ham (past)

Hisobot

Ilova

Tadqiq qilinayotgan uchala kuchaytirish kaskadlarini printsipial sxemasi

Sxema 1 tadqiqot natijalari

2.1.Kuchaytirishning siljuvchi koeffitsienti K =

2.2.R =150 Om va R =75 Om R = bo¢lganda kirish qarshiligi

2.3.R =0, R =33kOm R =bo¢lganda chiqish qarshiligi

3. Ikkinchi va uchinchi sxemalarni tadqiq etish natijalari: K , R , K _3.

R, R 1 jadvalga kiritish

ФОЙДАЛАНИЛГАН АДАБИЁТЛАР

1. Войшнилло Г.Н. Усилительные устройства. –М.: Связь, 1983.

2. Цыкин Г.С. Усилительные устройства. –М.: Связь, 1971.

3. Головин О.В., Кубицкий А.А. Электронные усилители –М.: Радио и связь, 1983.

4. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника – М,: Радио и связь, 1996.

5. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. /Под ред. Горюнова Н.Н. –М.: Энергоатомиздат, 1983, 1988.

6. Проектирование усилительных устройств. /Под ред. Терпугова Н.В. М.: Высшая школа, 1978.

Радиоалоқа қурилмалари ва тизимлари кафедраси

мажлисида муҳокама этилди

(35-мажлис баёни, 23.04.07й) ва босишга

тавсия қилинди

Тузувчилар:

катта ўқитувчи Жильцова О.А.

катта ўқитувчи Султонова М.О.