ЎЗБЕКИСТОН АЛОҚА ВА АХБОРОТЛАШТИРИШ АГЕНТЛИГИ

ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                               Электроника

                                                              кафедраси

                                                                                          

 

 

 

 

ЭЛЕКТРОНИКА

 

 

 

 

ЛАБОРАТОРИЯ ИШЛАРИ УЧУН

УСЛУБИЙ КЎРСАТМАЛАР

 

 

 

 

 

 

ТОШКЕНТ 2008

УДК 621.385.1

 

Арипов Х.К., Алимова Н.Б., Бустанов Х.Х., Мирхабибова Ж.М., Алимова М.Р. Электроника. Лаборатория ишлари учун услубий кўрсатмалар. ТАТУ, 2008.

 

 

 

 

 

         Мазкур лаборатория ишлари тўпламида кенг тарқалган электрон ва яримўтказгич асбоблар чизиқли ва ночизиқли математик моделлари параметрларини тажриба маълумотлари  асосида  аниқлаш  усуллари  берилган.

 

 

 

 

© Тошкент ахборот технологиялари университети

1 – лаборатория иши

Ўлчаш практикуми

 

1.   Лаборатория практикуми вазифалари.

 

Талаба лаборатория ишларини бажариш учун олдиндан ҳозирлик кўриш, тажриба ўтказиш, олинган натижаларни қайта ишлаш, ҳисобот тузиш ва ҳимояга тайёргарлик кўриш жараёнларида қуйидаги умумий мавзуларни пухта ўзлаштирган бўлиши лозим:

1.1   .     Тадқиқ этмоқчи бўлган электрон асбоб (ЭА) ҳақида умумий маълумотлар:

-           ЭА вазифаси ва қўлланиш соҳаси;

-           ЭА электродларнинг номи ва вазифаси;

-           ЭА нинг схемаларда шартли белгиланиши;

-           ЭА турларининг белгиланиш тизимлари;

-           ЭА асосий параметрлари қийматининг тартиби.

1.2.      Ўлчаш схемаси:

-           схеманинг турли занжирларидан ток ўтиши;

-           ўлчаш асбобларининг вазифалари;

-           схемани электр манбага улаш ва узатиш тартиби;

-           иш режимини ростлаш усуллари.

1.3.           Ўлчашни бажариш услуби:

-           характеристикаларни ўлчаш тартиби;

-        характеристикаларни ўлчашда иш режими параметрларининг чегаравий эксплуатация қиймати;

-           ЭА параметрларини тажриба усулида аниқлаш;

-           ЭА математик модель параметрларини тажрибада аниқлаш усули.

1.4.            Назарий саволлар:

-           тадқиқ этилаётган ЭА ишлаш принципи;

-           тадқиқ этилаётган ЭА уланиш схемаси: электр манба қутблари, токларнинг йўналиши, электрод токларининг оқиб ўтиш занжирлари ва уларнинг ташкил этувчилари, токларнинг ўзаро боғланиши;

-           ЭА статик характеристикалари ва бошқа тажрибада олинган боғлиқликларнинг  моҳияти;

-           ЭА математик модели параметрларини тажриба маълумотларидан аниқлаш услублари ва уларнинг физик маъносини тушунтириш;

-           осциллограммаларни изоҳлаш;

-           тадқиқ этилаётган ЭА чегаравий параметрларининг физик нуқтаи назардан тушунтириш.

1.1.-1.3 - мавзуларнинг деярли барча бандлари лаборатория ишларига тайёрланиш жараёнидаги уй вазифасининг мазмунини белгилайди ва улар мазкур тўпламдаги ҳар бир лаборатория ишларининг тавсифларида ўз ифодасини топган. Агар талаба иш бажаришдан аввал ёки иш бажариш вақтида юқорида таъкидланган мавзулар бўйича уй вазифаларини ўзлаштирмагани ўқитувчи томонидан аниқланса, у ҳолда талаба иш бажаришига рухсат этилмайди ёки иш бажаришдан четлаштирилади. Талабани 1.4 бандларни ўзлаштириши лаборатория ишини ҳимоя машғулотларида ўқитувчи томонидан текширилади.

1.2 - бандларида келтирлган ўлчаш схемалари ва ўлчов услублари масалалари мазкур қўлланманинг қуйида келтирилган "Универсал лаборатория стенди (УЛС) нинг тавсифи" берилган.

Ҳисоботларни тузиш учун 1.1 бандда келтирилган саволларга жавобни ЭА ҳақидаги маълумотномалардан излаш лозим.

 

      2.       Универсал лаборатория стендининг тавсифи

 

Универсал лаборатория стенди (УЛС) яримўтказгич асбобларни тадқиқ этишга мўлжалланган қурилма бўлиб, у “Электроника” лабораториясининг асосий жиҳозларига киради. УЛС 25 та лаборатория ишларини фронтал усулда олиб боришга имкон беради.

УЛС тузилиш жиҳатдан асосий модуль ва лаборатория модулидан иборат (1.1- расм).

 

 

1.1- расм. УЛСнинг умумий кўриниши.

 

 

 

1.2     – расм. УЛСнинг асосий модули.

 

Асосий модуль иккита  кучланиш манбаи (Е1 ва Е2), иккита мультиметр ва паст частота генераторидан ташкил топган. Е1 ва Е2 кучланиш манбалари ростланадиган бўлиб, унинг чиқишидаги қийматлари нолдан тадқиқ этилаётган электрон асбоб иш параметрлари билан чегараланган юқори қийматгача ўзгаради (1.2 – расм).

 

 

1.3 – расм. УЛСнинг лаборатория модули.

 

1.4 – расм. Осцилографнинг олд панелдан кўриниши.

 

Лаборатория модули иккита мультиметр, иккита ростланувчи манба, иккита  ростланмайдиган: икки қутбли  Е3 (+15В ва -15В) манба ҳамда  ростланмайдиган Е4 (+5В) манба, паст частота ва импульс генераторлари, электродлари учлари сифатида хизмат қилувчи тадқиқ этиладиган электрон асбоб оёқчалари ва микросхемалар махсус коммутация майдонини ташкил этувчи уячалардан иборат (1.3 – расм).

Паст частота генератори амплитудаси ростланадиган бўлиб, унинг учта чиқишидан умумий нуқтага нисбатан (1:1, 1:10, 1:100) сигнал тадқиқ этилаётган электрон асбоб ёки интеграл микросхемага берилади.

Импульслар генератори частотаси ростланувчи бир қутбли импульслар кетма – кетлиги ва зинасимон ўзгаришли чиқишларга нисбатан сигнал тадқиқ этилаётган электрон асбоб ёки интеграл микросхемага берилади.

Электрон асбоб ва микросхемалар тадқиқ этиладиган махсус коммутация майдонида электрон асбобларнинг оёқчаларини улашга мўлжалланган квадрат шаклдаги 48 та коммутация уялари жойлаштирилган. Бу уячалар чиқишни фақат учта нуқтадан тармоқлантириши мумкин. Ўрганилаётган электрон асбоб оёқчалари ёнма – ён жойлашган квадратлар  уяларига уланади. Акс ҳолда электрон асбоб оёқчалари қисқа туташиши мумкин. Бу ҳолат юз берса, кучланиш манбалари уланиши билан огоҳлантирувчи оптик ва акустик сигнал чиқади. Бу вақтда огоҳлантирувчи ёруғлик сигналини тарқатаётган манба ўчирилиши зарур. Манба ўчирилганидан сўнг йиғилган схема қайта текширилади, хатолик аниқланади ва тузатилади.

Коммутация майдонининг ўрта қисмида интеграл микросхемалар оёқчаларининг чиқишларига мўлжалланган, 1 - 24 рақамлари билан белгиланган қизил рангли  уячалар жойлаштирилган.  Ушбу уячалардан юқорироқда интеграл микросхемаларни тадқиқ этиш учун уларни лаборатория модуль схемасига улайдиган панель жойлашган. Схема йиғишда ўрганилаётган микросхема оёқчалари панелга ўрнатилади ва уларнинг чиқишлари 1 – 24 рақамлари билан белгиланган уячалардан олинади.

Коммутация майдонининг юқори қисмида  тўғри чизиқ бўйлаб жойлашган ва ўзаро уланган 2х8 кўринишидаги  уячалар мавжуд. Бу уячалар тадқиқ этилаётган асбобнинг бирорта чиқишини улаш ва тармоқлантириш учун ҳизмат қилади.  Коммутация майдонининг энг пастки қисмида худди шундай уячалар мавжуд бўлиб, улар тадқиқ этилаётган электрон асбобнинг зарур  оёқчасини ерга улаш учун ҳизмат қилади.

Лаборатория модулидаги қора рангли уячалар электрон асбобларни ва қизил рангли уячалар эса мос равишда микросхемаларни улашда ишлатилади.

Ўрганилаётган электрон асбоб, интеграл  микросхема ва электрон қурилмалар кириш ва чиқишларидаги электр сигналлар қийматлари ва шаклини осцилограф ёрдамида кузатиш мумкин (1.4 - расм). Бунинг учун осцилограф киришига кузатилиши зарур бўлган сигнал ўтаётган тугун махсус шнур билан уланади.

 

2 – лаборатория иши

 

Яримўтказгичли германий ва кремний диодлари параметрлари ва характеристикаларини тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: Ярим ўтказгичли диод (ЯД) асосий характеристикалари ва параметрларини ҳамда уларга ташқи муҳит температурасининг таъсирини тадқиқ этиш.

 

 

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:

 

1.1.          ЯД – n ва р турли ўтказувчанликка эга бўлган иккита ярим ўтказгичлар контактидан иборат бўлган ҳамда бир томонлама ўтказувчанликка эга бўлган электрон асбоб. ЯД ВАХси 2.1-расмда келтирилган. Бу ерда 1- назарий характеристика, 2- реал абоб характеристикаси (бу характеристика ЯДнинг ярим ўтказгич структурасидаги ҳажмий қаршиликни ва ташқи контактлар қаршилигини, ЯДдан ток оқиб ўтганда ундан ажралиб чиқаётган қўшимча иссиқликни ва х.з.ларни ҳисобга олади).

 

 

 

 

2.1-расм

 

1.2. Реал ярим ўтказгичли диод ВАХси 2.1- расмда келтирилган. Пунктир чизиқ билан қуйидаги тенгламага мос келувчи идеал ВАХ кўрсатилган:

 

      (2.1)

 

         Т=300 Кда UT=26 мВ.

 

Характеристикалар  ярим ўтказгичли диод асосий хоссаларини намоён этади. Очиқ ҳолатда ярим ўтказгичли диоддан маълум миқдорда тўғри ток () оқиб ўтади; бу ҳолат ярим ўтказгичли диодга тўғри кучланиш бериш натижасида таъминланади:

 

 

Берк ҳолатда ярим ўтказгичли диоддан жуда кичик тескари ток () оқиб ўтади. Бу токнинг қиймати германийли диодларда 10-5 – 10-6А, кремнийли диодларда эса 10-9 – 10-12А тартибга эга. Ярим ўтказгичли диоднинг берк ҳолати унга тескари кучланиш бериш натитижасида амалга оширилади:

 

 

 

 

         2.1-расмдан кўриниб турибдики, реал ярим ўтказгичли диод ВАХсининг тўғри шоҳобчаси назарий характеристикага нисбатан бўсағавий кучланиш қиймати билан ифодаланадиган  сезиларли тўғри ток юзага келадиган анча юқори тўғри кучланиш соҳасига силжиган. Германийли диодларда В, кремнийли диодларда - В. бўлганда ВАХ тўғри шоҳобчасининг эгилиши диод база соҳасининг қаршилиги  билан аниқланади.

Ярим ўтказгичли диод ВАХсига ташқи муҳит температурасининг таъсири 2.2-расм билан тушунтирилади. Температура ортганда тўғри ва тескари ток ортади. 

 

2.2- расм

 

Ярим ўтказгичли диодга температура таъсирини ҳисобга оладиган асосий параметрлар бўлиб қуйидагилар ҳисобланади:

 

Кучланишнинг температуравий коэффицинти αt

 

  (2.2)                                                

 

ва  тескари токни е мартага ўзгаришига мос келувчи температура t* :

        (2.3)                                              

 

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. Лаборатория ишини бажаришдан аввал схема (2.3-расм), ўлчаш усуллари, қўлланиладиган ўлчов асбоблари  билан танишиб чиқиш керак

 

2.3- расм

 

2.2. Ярим ўтказгичли диод ВАХсининг тўғри шоҳобчаси ни ўлчанг (2.1-расм). Тажрибани икки турдаги - германийли ва кремнийли диодлар учун бажаринг.

 

Тажриба бажариш учун тавсиялар:

 

Ярим ўтказгичли диод тўғри токи () кучланишга кучли равишда боғлиқ (2.1- расм) бўлгани сабабли токни чеклаш учун ярим ўтказгичли диодга кетма – кет чегараловчи қаршилик R=560 Ом улаш керак (2.3- расм). Ярим ўтказгичли диод ВАХсини амалда ўлчаш қулай, бунинг учун диодга керакли ток қийматини бериб бориб,  унга мос келадиган кучланиш қиймат ёзиб борилади.

Тажриба вақтида бўсағавий кучланиш қиймати ни ( бўлганда) ёзиб олиш керак.

Ўлчаш натижаларини жадвалга ёзиб олинг ва олинган боғлиқлик графигини чизинг.

2.3. Ярим ўтказгичли диод ВАХсининг тескари шоҳобчасини германийли диод учун ўлчанг (2.1- расм).

Тажриба бажариш учун тавсиялар:

Ярим ўтказгичли диод  тескари токи () кучланишга кучли боғлиқ бўлмайди (2.1- расм), шунинг учун ВАХнинг тескари шоҳобчасини кучланиш  қиймати 0 дан қийматгача оралиқда ўлчаш мақсадга мувофиқ. Бу  кучланиш қийматларига мос келувчи токни ўлчаш вақтида, дан В оралиғидагина ток кучли равишда ўзгаришини инобатга олиш керак.

 

3. Ўлчаш натижаларини қайта ишлаш:

 

3.1.  2.2 – бандга мувофиқ бажарилган ўлчаш натижаларини ишлаш.

 

Тажрибада олинган германийли ва кремнийли ЯД  ВАХларида уларга мос келувчи 2.1- ифода ёрдамида ҳисобланган назарий характеристикаларни қуринг. ва    нуқталарда 2.1- ифода ёрдамида иссиқлик токи  катталигини ҳисобланг. Назарий ва тажриба усулида олинган боғлиқликлар бу нуқталарда мос тушади.

Тажрибада олинган ВАХдан германийли ва кремнийли диод учун  қийматида дифференциал қаршилик  ва ўзгармас ток бўйича қаршилик ни ҳисобланг.

 

3.2.  2.3 ва 2.4 – бандларга мувофиқ бажарилган ўлчаш натижаларини ишлаш.

 

         Германийли диод тажрибада олинган ВАХсидан фойдаланиб (2.3- банд) В бўланда дифференциал қаршилик  ва ўзгармас ток бўйича қаршилик ни ҳисобланг.

4. Ҳисобот мазмуни:

 

         1) ўлчаш схемалари;

         2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

         3) ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.

 

 

 

 

5. Назорат саволлари.

 

1.     Ярим ўтказгичли диод тўйиниш токи қандай физик моҳиятга эга ?

2.     Идеал ярим ўтказгичли диод ВАХсининг тенгламасини ёзинг ва ундаги параметрларнинг физик маъносини тушунтиринг?

3.     Диодга қўйилган кучланиш қиймати ва қутби ундаги p-n ўтиш кенглигига қандай таъсир кўрсатади ?

4.     Диоднинг электр модели схемасини чизинг. Схемадаги элементлар ва уларнинг параметрларини тушунтиринг?

5.     Германийли ва кремнийли диодларнинг ВАХси бир хил шароитда фарқли бўлишига сабаб нима ва у диодларнинг қайси параметрлари билан ифодаланади?

6.     Ярим ўтказгичли диод электр модели параметрларини тажрибада қандай аниқлаш мумкин?

 

3 - лаборатория  иши  

 

Стабилитрон характеристикаси ва параметрларини тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: Электр тешилиш режимида диод токини унга қўйилган тескари йўналишдаги кучланиш билан боғлиқлигини тажриба усули билан аниқлаш ва бу боғланишни аппроксимацияловчи чизиқли функция параметрлари қийматларини ҳисоблаш.

 

1.     Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:

 

1.1. Яримўтказгич стабилитроннинг ВАХси  3.1 а-расмда, унинг электр схемаларда шартли белгиланиши эса 3.1 б - расмда кўрсатилган.

 

3.1-расм

Стабилитрон ВАХси тескари шаҳобчасининг Uct.min-Uct.max кучланиш қийматлари оралиғи электр  тешилишга (одатда кўчкисимон) тегишли. Тешилиш режимида тескари кучланишнинг жуда оз миқдорда ўзгариши тескари токни кучли ўзгаришига олиб келади.

Стабилитроннинг бу ҳусусиятидан схемотехникада кучланишни барқарорлашда кенг қўлланилади.

 

1.2. Кучланишни барқарорлаш режимида стабилитрон ВАХси чизиқли функция билан аппроксимацияланади:

 

          (3.1)

 

бу ерда RД - параметри кучланишни барқарорлаш режимидаги диоднинг дифференциал қаршилигини, UБ - параметри эса, кучланишнинг бўсағавий қийматини кўрсатади.

 

1.3. Кенг кўлланиладиган стабилитронларнинг баъзи электр параметрларининг рўйхати:

Uст - стабиллаш кучланиши;

Uст - барқарорлаш кучланишнинг вақт бўйича ностабиллиги;

Uтўғ - стабилитрондаги ўзгармас тўғри кучланиш;

Iст,мин - стабилитрондаги рухсат этилган энг кичик ўзгармас ток;

Iст,мах - стабилитрондаги рухсат этилган энг катта ўзгармас ток;

Iтўғ,макс - стабилитрондаги рухсат этилган энг катта тўғри ўзгармас ток;

Рмакс - стабилитрондаги рухсат этилган энг катта сочувчи қувват;

rст - белгиланган ўзгармас ток режимида (I*c) аниқланган дифференциал қаршилик;

ст - барқарорлаш кучланишининг температуравий коэффициенти.

 

    (3.2)

 

Стабилитроннинг қуйидаги гуруҳлари мавжуд: умумий мақсад учун қўлланиладиган махсус термокомпенсацияланган прецизионли (аниқ кучланиш қиймати талаб қилинадиган схемалар учун); импульсли, икки анодли, стабисторлар.

 

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. Лаборатория ишини бажаришдан аввал схема (3.2-расм), ўлчаш усуллари, қўлланиладиган ўлчов асбоблари  билан танишиб чиқиш керак

3.2- расм

 

2.2. Стабилитрон ВАХини ни ўлчанг (3.1 а-расм).

 

Тажриба бажариш учун тавсиялар:

 

Стабилитронни ВАХсини ўлчайдиган электр схемасини йиғиб, унда ўлчаш ишларини талаб этилган аниқликда бажаринг.

Тажриба натижаларини ишлаш ва аппроксимацияловчи функция параметрларининг қийматларини аниқланг.

 

3. Ўлчаш натижаларини қайта ишлаш:

 

3.1. Тадқиқ этиш учун берилган стабилитрон паспортидан унинг тури ва асосий параметрларини (минимал ва максимал барқарорлаш токлари (Icт,мин ва Icт,мах); ўртача барқарорлашлаш кучланиши (UCТ); дифференциал қаршилик (RД,CТ) қийматлари ва ҳ.к.) кузатиш дафтарингизга ёзиб олинг.

3.2. Стабилитрон параметрларининг рухсат этилган энг юқори қийматларидан фойдаланиб, ўлчаш схемасини таъминловчи кучланиш манбаи чиқиш қийматини ўзгариши керак бўлган оралиғини ва ўлчов асбоблари (амперметр ва вольтметрлар)нинг чегаравий қийматларини аниқланг.

3.3. Схемада стабилитрон токининг юқори қийматини чеклаш учун унга RБ резистор кетма-кет уланади. (3.2-расм). Резисторнинг қиймати қуйидаги шартга мос келиши керак;

 

бу ерда Е1 - ростланувчи кучланиш манбаининг максимал қиймати.

3.4. Ўлчаш натижаларини ёзиш учун 3.1-жадвал тaйёрланг. Жадвалнинг биринчи қаторига тадқиқ қилинаётган стабилитрон токларининг қийматларини, иккинчи қаторига эса кучланиш қийматларини киритинг.

 

 

 

3.1 – жадвал

 

IСТ ,мA

IСT.MIN

 

 

 

 

ICT.MAX

UСТ, B

 

 

 

 

 

 

 

3.5. Ўлчаш ишларини бажариб, 3.1 - жадвални тўлдиринг ва стабилитроннинг ВАХсини чизинг.

3.6. Кучланишни барқарорлаш режимида стабилитрон ВАХси (3.1) ифодага биноан чизиқли функция билан аппроксимацияланг.

 

4. Ҳисобот мазмуни:

 

         1) ўлчаш схемалари;

         2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

         3) ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.

 

5. Назорат саволлари.

 

1.p-n ўтишдаги асосий тешилиш турларини айтинг.

2.Стабилитронларда қайси тешилиш турлари қўлланилади ?

3.Стабилитрон ВАХсини чизинг. Унинг шаклининг турли қисмлари қайси физик жараёнлар орқали ифодаланади ?

4.Стабилитроннинг асосий электр параметрларини айтинг ва уларнинг физик маъносини изоҳланг.

5.Нима учун стабилитронларни тайёрлашда дастлабки материал сифатида германий эмас кремний қўлланилади ?

6.Стабилитрон токининг юқори қиймати чекланишига қандай омил сабаб бўлади ?

7.Стабилитрон ВАХсини ўлчаш схемасини чизинг.

 

4 - лаборатория  иши  

 

УБ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.

 

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:

 

График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий база уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида эмиттер токи ва коллектор – база кучланиши  танланади, шунда:

          (4.1)

Икки ўзгарувчили функция график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.

БТ кириш характеристикалари оиласи 4.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 4.1 б-расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:

 

,    бўлганда        (4.2)

,  бўлганда            (4.3)

 

 

                                 а)                                                                  б)

4.1-расм

 

Кичик амплитудали сиганллар билан ишланганда   ва  қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (4.1-4.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг h- параметрлар тизимидан фойдаланиб.

           (4.4)

 

ёзиш мумкин, бу ерда  ,      бўлганда

                                ,         бўлганда

                                      ,        бўлганда    (4.5)

                                      ,       бўлганда

 

h- параметрлар (4.5) формулалари ёрдамида хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (h11Б ва h12Б – кириш характеристикалар оиласидан, h21Б ва h22Б – чиқиш характеристикалар оиласидан).

 

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:

Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.

 4.1 - жадвал

Кириш ва бошқариш характеристикалари

 

ЕЭ

В

 

uЭБ

В

 

IЭ

мкА

 

iK

мА

 

 

 4.2 - жадвал

Транзистор чиқиш характеристикалари

 

IЭ, мкА

 

 

uКБ

В

 

 

iK

мА

 

 

uКБ

В

 

 

iK

мА

 

 

uКБ

В

 

 

iK

мА

 

ва х.з.

 

 

 

4.4 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор цоколининг   схемаси    4.5 – расмда    келтирилган. Резистор       қаршиликлари R1= (270-510 )Oм  ва  R2=(510-1000) Ом.

 

 

4.4-расм

 

 

4.5- расм

 

2.2. = 5 В  ўзгармас кучланиш қийматларида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 4.1 - жадвалга киритинг.

 

2.3. Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:

Чиқиш характеристиклар оиласини  эмиттер токининг  iЭ = 0   мА қийматидан бошлаб ҳар 4 мА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив (>0) ва тўйиниш (<0) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.

 

 

3.  Ўлчаш натижаларини ишлаш:

 

3.1.  Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг.

 uКБ =5 В, iЭ = 8 мА  нуқтада транзистор параметрларини аниқланг

 

, ,

 

3.2.    Эмиттер токи 8 мА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг.  Чизиқли – бўлак аппроксимацияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.

 

4. Ҳисобот мазмуни:

 

1) ўлчаш схемалари;

         2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

         3) ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.

 

5. Назорат саволлари.

 

1.     БТ УБ уланиш схемада ишлаш принципи, эмиттер ва коллектор p-n ўтишлар, база соҳаси аҳамияти ҳақида гапириб беринг.

2.     Эмиттер токи ташкил этувчилари номини айтинг ва уларнинг йўналишларини p-n-p ҳамда n-p-n турли БТ учун кўрсатинг.

3.       База токи ташкил этувчилари номини айтинг ва уларнинг йўналишларини p-n-p ҳамда n-p-n  турли БТ учун кўрсатинг.

4.      IКБ0 ва IКЭ0  қандай токлар ? Улар қайси заряд ташувчилар ҳаракати билан ҳосил бўлади ?

5.      УБ схемада уланган БТ чиқиш характеристикалар оиласида актив, берк ва тўйиниш соҳаларини кўрсатинг.

6.      Идеал БТ электр модели схемасини чизинг ва унинг параметрлари физик моҳиятини тушунтиринг.

7.      БТ инверс иш режими деб нимага айтилади ?

 

5 - лаборатория  иши  

 

УЭ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: УЭ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:

 

График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий эмиттер уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида база токи ва коллектор – эмиттер кучланиши  танланади, шунда:

          (5.1)

Икки ўзгарувчили функция график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.

БТ кириш характеристикалари оиласи 5.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 5.1 б-расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:

,    бўлганда        (5.2)

,  бўлганда             (5.3)

                                 а)                                                                  б)

5.1-расм

 

Кичик амплитудали сиганллар билан ишланганда   ва  қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (5.1-5.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг h- параметрлар тизимидан фойдаланиб.

           (5.4)

ёзиш мумкин, бу ерда  ,      бўлганда

                              ,         бўлганда

                                      ,        бўлганда    (5.5)

                                      ,       бўлганда

h- параметрлар (5.5) формулалари ёрдамида хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (h11Э ва h12Э – кириш хараткеристикалар оиласидан, h21Э ва h22Э – чиқиш характеристикалар оиласидан).

Амалий ҳисобларда кўпинча БТ статик характеристикаларини бўлакли- чизиқли апрроксимациясидан ҳам кенг фойдаланишади. (5.2- расмга қаранг)

5.2-расм

         Аппроксимацияланган кириш хараткеристиклари учун

                 (5.6)

га эгамиз.

              Чиқиш характеристикалари учун эса

    (5.7)

5.6 ва 5.7 формулаларда

UБЎС-   эмиттер ўтишдаги бўсағавий кучланиш,

-  транзистор кириш қаршилигининг ўрта қиймати (),

- тўйиниш режимидаги транзистор чиқиш қаршилиги  (бошланғич соҳада).

,   ва          (5.8)

- актив режимда  чиқиш қаршилиги  нинг ўрта қиймати.

  ва   бўлганда     (5.9)

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:

Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.

 5.1 - жадвал

Кириш ва бошқариш характеристикалари

 

ЕБ

В

 

uБЭ

В

 

iБ

мкА

 

iK

мА

 

 5.2 - жадвал

Транзистор чиқиш характеристикалари

 

iБ, мкА

 

 

uКЭ

В

 

 

iK

мА

 

 

uКЭ

В

 

 

iK

мА

 

 

uКЭ

В

 

 

iK

мА

 

ва х.з.

 

 

 

 

5.3 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор цоколининг   схемаси    5.4 – расмда    келтирилган. Резистор       қаршиликлари R1= (5–10 ) кOм ва  R2=(510-1000) Ом.

5.4-расм

 

 

5.5- расм

2.2. = 5 В ўзгармас кучланиш қийматида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 5.1 - жадвалга киритинг.

 

2.3. Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:

Чиқиш характеристиклар оиласини  база токининг  iБ =0 мкА қийматидан бошлаб ҳар 50 мкА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак;  кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив (>) ва тўйиниш (<) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.

 

3.  Ўлчаш натижаларини ишлаш:

 

3.1.  Кириш, бошқарув ва чиқиш хараrтеристикалар оиласи графигини қуринг.

 uКЭ =5 В, iБ =100 мкА  нуқтада транзистор параметрларини аниқланг

 

, ,

 

3.2.    База токи 100 мкА бўлганда чиқиш хараrтеристикасини қуринг.  Чизиқли – бўлак аппроксимацияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.

 

4. Ҳисобот мазмуни:

 

1) ўлчаш схемалари;

         2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

         3) ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.

 

5. Назорат саволлари.

 

1. БТ УЭ уланиш схемада ишлаш принципи, эмиттер ва коллектор p-n ўтишлар, база соҳаси аҳамияти ҳақида гапириб беринг.

2. Эмиттер токи ташкил этувчилари номини айтинг ва уларнинг йўналишларини p-n-p ҳамда n-p-n турли БТ учун кўрсатинг.

3. База токи ташкил этувчилари номини айтинг ва уларнинг йўналишларини p-n-p ҳамда n-p-n  турли БТ учун кўрсатинг.

3. IКБ0 ва IКЭ0  қандай токлар ? Улар қайси заряд ташувчилар ҳаракати билан ҳосил бўлади ?

4. УЭ схемада уланган БТ чиқиш характеристикалар оиласида актив, берк ва тўйиниш соҳаларини кўрсатинг.

5. Идеал БТ электр модели схемасини чизинг ва унинг параметрлари физик моҳиятини тушунтиринг.

6. БТ инверс иш режими деб нимага айтилади ?

7. Нима учун УЭ схемада ишлаётган БТ база электродидаги   кучланишни унинг коллекторидаги кучланишдан аввал узиш мумкин эмас ?

 

6 - лаборатория  иши  

 

Майдоний транзистор статик характеристикаларини  тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: Майдоний транзистор статик характеристикалари ва дифференциал параметрларини ўрганиш, транзистор ишига температуранинг таъсирини тадқиқ этиш.

 

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш:  

 

Лаборатория ишида  тузилиши ва схемаларда шартли белгиланиши 6.1- расмда келтирилгани канали р- турли майдоний транзистор тадқиқ этилади.

6.1-расм

 

Сток токи затворга кучланиш бериш орқали бошқарилади, яъни бошқарилаётган р-n ўтишга тескари кучланиш UЗИ>0 берилади. UЗИ даги беркитиш кучланиши ортган сари ҳажмий заряд соҳасининг кенглиги ортиб боради. Натижада берилган UСИ кучланиш қийматида канал кенглиги кичраяди, унинг қаршилиги RK ортади, демак сток билан исток оралиғидаги сток токи IС камаяди. 6.2- расмда бошқариш характеристикаси IC= f (UЗИ) келтирилган.

 

6.2-расм

 

Бошқарувчи р-n ўтишнинг ҳажмий заряд соҳаси ва асос билан канал орасидаги р-n ўтиш бириккандаги (сток токи IC нольга тенг бўладиган) затвор кучланиши қиймати бўсағавий кучланиш U БЎС деб аталади.

Тўйиниш режимида ишлаётган майдоний транзистор бошқарув характеристикасини қуйидаги боғлиқлик билан аппроксимациялаш қулай.

 

,                                     (6.1)

бу ерда  IC max –  максимал сток токи  затвор – исток кучланиши ноль UЗИ = 0 га мос келувчи бошланғич сток токи.

         Бошқарув характеристикасидан (6.2- расм) характеристика тиклиги аниқланиши мумкин.

                         .

 

(6.1) аппроксимациядан фойдаланилганда тиклик қуйидагича аниқланади:

 

,                  (6.2)

 

Майдоний транзистор чиқиш характеристикалар оиласи 6.3 – расмда келтирилган. Характеристиканинг бошланғич соҳаси (UСИ<UСИ.ТЎЙ) чизиқли режимга мос келади. Бу режимда канал бутун исток-сток оралиғида мавжуд бўлади, шунинг учун UСИ  ортган сари, чизиқли қонунга мос равишда сток токи  ҳам ортади.

         UСИ<UСИ.ТЎЙ  да транзистор тўйиниш режимига ўтади, бу соҳада сток токи IС сток кучланиши UСИ га кучли боғлиқ бўлмайди. Икки режим чегараси ҳисобланган тўйиниш кучланиши UСИ.ТЎЙ затвордаги кучланиш UЗИ га боғлиқ бўлади ва қуйидаги формуладан аниқланади: UСИ.ТЎЙ =UЗИ–UБЎС.. Чиқиш характеристикасидан (6.3 - расм) чиқиш қаршилиги аниқланиши мумкин

 

 

6.3-расм

Бу катталик тўйиниш режимида ҳисобланса, катта қийматга эга бўлади, шунинг учун транзистор кучайтиргич сифатида ишлатилаётганда схеманинг сокинлик нуқтаси шу режимда танланади. Чизиқли режимда транзистор чиқиш қаршилиги затвордаги кучланиш UЗИ га боғлиқ ва тахминан танланган ишчи нуқтада  UСИ кучланишини IС токка нисбати кўринишида ёки 6.3 – формуладан аниқланиши мумкин.

,                (6.3)

бу ерда  .

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. 6.4- расмда келтирилган схема, ўлчаш асбоблари ўлчанадиган  КП103 майдоний транзистор паспорт кўрсатмалари билан танишиб чиқинг. (5- иловага қаранг)

Цоколь расмини чизиб олинг ва тадқиқ этилаётган транзисторнинг чегаравий параметрлари UСИ.ЧЕГ, IС.ЧЕГ, PЧЕГ  қийматларини ёзиб олинг. 6.4 – расмда келтирилган схемани йиғинг.

6.4-расм

 

2.2. Сток кучланишининг UСИ=1/3UСИ.ЧЕГ ва  2/3UСИ.ЧЕГ қийматлари учун иккита бошқарув характеристикасини ўлчанг (UСИ.ЧЕГ  қиймати паспорт кўрсатмаларидан олинади). Ўлчаш натижаларини 6.1 – жадвалга киритинг ва ундан фойдаланиб бошқарув характеристикасини қуринг. Тажрибада UЗИ кучланиш қийматини 0 дан бўсағавий кучланиш UБЎС гача ўзгартиринг.

 

2.3. Затвордаги кучланишнинг учта қийматида (UЗИ=0; 0,25UБЎС; 0,5UБЎС) чиқиш характеристикалар оиласи IС=f(UСИ) ни ўлчанг.

Тажриба ўтказишдан аввал IС – UСИ координаталар тизимида транзисторнинг рухсат этилган ишчи режими соҳаларини белгилаб олинг. (6.4 - расм)

 

 6.1 – жадвал

 

UЗИ, В

IС, мА

UСИ=1/3UСИ ЧЕГ

UСИ=2/3UСИ ЧЕГ

 

 

 

 

Изоҳ: РС.ЧЕГ чизиғини қуриш учун UСИ кучланишининг 0 дан UСИ.ЧЕГ қийматлари оралиғида ихтиёрий бир нечта қийматлари танланади ва шу нуқталарда сток токи IС=PС ЧЕГ/UСИ ҳисобланади.

 

6.4-расм

 

Тажрибада олинган нуқталарни 6.2 – жадвалга киритинг ва тайёрланган графикда уларни белгиланг (6.4 - расм). Бунда транзистор учун ишлаш рухсат этилган соҳадан чиқиб кетмасликка эътибор беринг. 

 6.2 – жадвал

 

UСИ, В

IС, мА

UЗИ=0

UЗИ=0,25UБЎС

UЗИ=0,5UБЎС

 

 

 

 

 

2.4. Транзистор сток токига температунинг таъсирини тадқиқ этиш. Тадқиқ этилаётган транзисторни термостатга жойлаштиринг ва тегишли температура қийматини ўрнатинг, сток кучланишнинг UСИ=1/3UСИ.ЧЕГ қийматида ва     Т=40 0С  ва 80 0С температураларда иккита бошқарув характеристикаси IС=f(UЗИ) ни ўлчанг.

         Ўлчаш натижаларини 6.3 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб T=40 0С ва 80 0С температуралардаги иккита бошқарув характеристикаси IС=f(UЗИ) ни қуринг.

6.3 - жадвал

 

UЗИ, В

IС, мА

T=40 0С

T=800С

 

 

 

 

3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш.

 

3.1.  2.2. бандда ўлчанган бошқарув характерискаларини 6.1 – ифода ёрдамида аппроксимацияланг. Аппроксимация натижаларини қурилган IС=f(UЗИ) графигида акс эттиринг.

 

3.2. Бошқарув характеристикаларидан фойдаланиб, транзистор тиклигини

UСИ=1/3UСИ.ЧЕГ   ишчи нуқтада аниқланг

 

 

S қийматини худди шу нуқта учун 6.2 – формула ёрдамида ҳам аниқланг.

 

3.3. 2.3 – бандда ўлчанган чиқиш характеристикалар оиласида UСИ ТЎЙ=UЗИ – UБЎС оралиққа мос келувчи, чизиқли режим билан тўйиниш режими орасидаги чегарани кўрсатинг.

     

3.4. Чиқиш характеристикалар оиласидан фойдаланиб, қуйидаги ишчи нуқталар учун транзистор чиқиш қаршилигини аниқланг:

- тўйиниш режимида (UСИ=1/3UСИ ЧЕГ, UЗИ=0,25 UЧЕГ);

- чизиқли режимда UСИ=0 ва затвор кучланишининг учта қийматида (UЗИ=0; 0,25UБЎС; 0,5UБЎС).

         Ҳисоблашлар натижаларини 6.4 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб чизиқли режим учун rЧИҚ нинг UЗИ га боғлиқлик графигини қуринг.

6.4 – жадвал

 

UЗИ,В

RЧИҚ, кОм

UСИ=1/3UСИ ЧЕГ

UСИ=0

UЗИ=0

 

 

UЗИ=0,25UЧЕГ

 

 

UЗИ=0,5UЧЕГ

 

 

 

3.5. 2.4 – бандда ўлчанган бошқарув характеристикаларида, турли температураларда ўлчанган бошқарув характеристикалари кесишадиган термо барқарор нуқтанинг   IСТ ва UЗИТ координаталарини аниқланг.

 

4. Ҳисобот мазмуни.

 

1) тадқиқ этилаётган транзистор паспорт кўрсатмалари;

2) ўлчаш схемаси;

3) ўлчанган боғлиқликлар жадвал ва графиклари;

4) бошқарув характеристикасининг аппроксимация, ҳисобланган транзистор характеристикасининг тиклиги S ва чиқиш характеристикалари rЧИҚ натижалари.

 

5. Назорат саволлари.

 

1. Затвори р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторни тасвирланг ва ишлаш механизмини тушунтиринг.

2. Майдоний транзистор иш режимларини айтиб беринг. Ҳар қайси режимда транзистор затвори ва стоки орасидаги кучланиш муносабалари қандай бўлади ?

3. Майдоний транзисторларда қандай дифференциал параметрлар тизими қўлланилади ва нима сабабли ?

4. Затвори р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор узатиш характеристикасини тасвирланг ва тушунтириб беринг.

5. Затвори р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор чиқиш характеристикалар оиласини тасвирланг ва тушунтириб беринг.

6. Турли температураларда ўлчанган затвори р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор узатиш характеристикасини тасвирланг. Бу характеристикаларда температурага барқарор нуқталарнинг мавжудлиги нима билан тушунтирилади ?

 

 

7 - лаборатория  иши  

 

МДЯ транзисторларнинг статик характеристикаларини  тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: МДЯ транзисторларни статик режимда ишлаш хоссаларини ўрганиш.

 

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш:  

 

         Бу ишни бажаришда сток токи занжиридаги қаршилик қийматининг узатиш характеристикаси кўринишига таъсирини ўрганиб чиқинг. Квази чизиқли юклама сифатида турли майдоний транзисторлар қўлланилганда узатиш характерискалар турлича бўлишига аҳамият беринг.

         Мантиқий сигналлар сатҳларини аниқлашда калитнинг узатиш характеристикаси UЧИҚ=f(UКИР) дан фойдаланилишига эътибор беринг. (7.1- расм)

Мантиқий ноль U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади.

ΛU = U1 – U0  мантиқий сигналларнинг сатҳлар фарқи  деб аталади.

 

7.1-расм

 

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. МДЯ транзисторда ясалган калит  узатиш характеристикасига юклама қаршилигининг таъсирини  UЧИҚ=f(UКИР) тадқиқ этиш.

         n- турдаги канали индукцияланган МДЯ транзисторда бажарилган калит схемаси 7.2- расмда келтирилган. Схема Е2 = 9В манбадан таъминланади. Кириш кучланиши UКИР росланувчи Е1 кучланиш манбаидан берилади. Чиқиш кучланиши UЧИҚ ва истеъмол қилинаётган токни ўлчаш учун рақамли вольтметр ва амперметрлардан фойдаланинг. VТ1 сифатида К176ЛП1 микросхемадаги n-каналли транзисторларнинг бирини олинг. Ишлаш қулай бўлиши учун иловада келтирилган микросхема принципиал схемасини чизиб олинг ва электродлари рақамларини белгилаб олинг.

Тажрибани қуйидаги тартибда олиб бориш тавсия этилади:

-  МДЯ транзистор сток занжирига чизиқли резистор R=51 кОм ни уланг;

-  кучланиш манбаи қийматини Е2=9 В қилиб ўрнатинг;

-  кириш кучланишини 0 дан 9В гача ўзгартириб бориб, UЧИҚ=f(UКИР) ва IИСТ=f(UКИР) боғлиқлигини ўлчанг;

-   қаршиликнинг R=10 кОм ва 3,5 кОм қийматлари учун ўлчашларни такрорланг;

-  тажриба натижаларидан фойдаланиб UЧИҚ=f(UКИР)  боғлиқлик графикларини қуринг.

7.2-расм

 

3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш.

 

3.1. 2- бандда олинган узатиш характеристикаларни қуринг.

3.2.  Ҳар бир калит учун мантиқий сигнал U0 ва U1  сатҳлари ва  мантиқий сигналлар сатҳлар фарқи ΛU = U1 – U0ни  аниқланг.

Олинган натижаларни 7.1 – жадвалга киритинг.

                                                                                                                  7.1 – жадвал

 

Параметр

Юклама тури

U0, В

U1, В

ΛU, В

PЎРТ, мВ

Қаршиликли юклама

 

 

 

 

     Rю=51кОм

 

 

 

 

     Rю=10кОм

 

 

 

 

     Rю=3,5кОм

 

 

 

 

 

3.3. Мантиқий ноль ва мантиқий бир ҳолатларида манбадан истеъмол қилинаётган қувватнинг ўртача қийматини аниқланг:

 

;   .

 

 

 

4. Ҳисобот мазмуни.

 

1) ўлчаш схемалари;

         2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

         3) ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.

 

5. Назорат саволлари.

 

1. Юклама сифатида қаршилик уланган калит параметрларининг юкламадаги қаршилик қийматига боғлиқлигини тушунтиринг.

2. Нима сабабли КМДЯ транзисторларда ясалган калит статик ҳолатларда манбадан қувват истеъмол қилмайди ?

 

 

8 - лаборатория  иши  

 

Оптронни тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: Оптронлар ишлашини ва параметрларини ўлчаш услубларини ўрганиш.

 

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш:  

 

Оптронлар – функционал электроникаанинг замонавий йўналишларидан бири – оптоэлектрониканинг асосий структура элементи ҳисобланади.

Энг содда диодли оптрон (8.1 – расм) учта элементдан ташкил топган: фотонурлатгич 1, нур ўтказгич 2 ва фото қабул қилгич 3 бўлиб, ёруғлик нури тушмайдиган герметик корпусга жойлаштирилган. Киришга электр сигнали берилса фотонурлатгич қўзғотилади. Ёруғлик нури нур ўтказгич орқали фото қабул қилгичга тушади ва унда чиқиш электр сигнали  юзага келади. Оптроннинг  асосий хусусияти шундаки, ундаги элементлар ўзаро нур орқали боғланган бўлиб, кириш билан чиқишлар эса электр жиҳатдан бир – биридан ажратилган. Шу хусусиятидан келиб чиққан ҳолда, юқори кучланишли ва паст кучланишли занжирлар бир – бири билан осон мувофиқлаштирилади. Диодли оптроннинг шартли белгиси 8.2 – расмда, унинг конструкцияси эса 8.3 – расмда келтирилган.

 

                            8.1-расм                                                      8.2-расм

 

8.3-расм

 

1,2 – фотодиоднинг р ва n соҳалари; 3,4 – ёруғлик диодининг n ва р соҳалари; 5 – селен шиша асосидаги нур ўтказгич; 6,7 – ёруғлик диоди контактлари; 8,9 – фотодиод контактлари.

 

Ёруғлик сигналларини электр сигналига айлантиришда асосан фотодиодлар қўлланилади (худди шундай фоторезисторлар, фототранзисторлар ва  фототиристорлар ҳам).

Фотодиод оддий n-р ўтиш бўлиб, кўп холларда кремний ёки германийдан ясалади. Ундаги тескари ток ёруғлик нури тушиши натижасида юзага келаётган заряд ташувчилар генерацияси тезлиги билан аниқланади. Бу ҳодиса ички фотоэффект деб юритилади.

Фотодиодни қўллаш бўйича  иккита режим мавжуд: ташқи манбасиз – вентилли ёки фотовольтаик ва ташқи манбали – фотодиодили режим. Ташқи манбасиз ёруғлик нурини электр энергиясига айлантирувчи фотодиодлар вентилли фотоэлементлар деб аталади. Фото электр юритувчи куч Uф нинг юзага келиши ёруғлик билан генерацияланган электрон – ковак жуфтларининг n-р ўтиш орқали ажратилиши билан боғлиқ. Фото ЭЮК Uф катталиги оптик сигнал даражаси РФ ва юклама қаршилиги қийматига боғлиқ бўлади. Вентилли фотоэлементнинг чиқиш характеристикаси 8.4 – расмда келтирилган.

 

                                 8.4-расм                                                    8.5-расм

                           

Фотодиод режимида ташқи кучланиш манбаи ҳисобига фототок iф вентиль элементнинг қисқа туташув токига тахминан тенг бўлади, фототок ҳисобига бирор юклама қаршилигида содир бўладиган кучланиш пасайиши Uф эса катта бўлади. Бир хил юклама қаршилиги қийматида сигнал кучланиши Uф нинг фотодиод (1) ва вентиль элемент (2) учун  оптик нурланиш қуввати Рф га боғлиқликлари 8.5 – расмда келтирилган. Фотоэлектр ўзгартишлар самарадорлиги вольт – ватт SU=Uф/Рф ҳамда ампер – ватть Si=Iф/Рф (сезгирлик) билан ифодаланади.

Фотодиодларнинг афзаллиги яна шундаки, ёруғлик характеристикалари Iф, Uф=f(Рф) чизиқли кўринишга эга, бу эса уларни  оптик алоқа линияларида қўллаш имкониятини яратади. Вентиль элементлар асосан энергия ўзгартгичлар (қуёш батареялари) сифатида ишлатилади.

Ёруғлик нури орқали токни  бошқаришни биполяр транзисторлар ёрдамида ҳам амалга ошириш мумкин. Уларда база токининг кучайиши туфайли, фотодиодларга нисбатан сезгирлик юқори бўлади. Фототранзистор базасидаги заряд ташувчиларнинг оптик генерацияси базага ташқи манбадан заряд ташувчилар киритилишига эквивалентдир. Натижада, транзистор фототоки фотодиодга нисбатан b мартага кучайтирилади. Бу ерда b -фотортранзистор база токининг статик кучайтириш коэффициенти.

 

 

8.6-расм

 

Оптрон инерционлиги ёруғлик диоди ва нур қабул қилгичдаги жараёнлар билан боғлиқ бўлиб, ёрдамида аниқланади (8.6 - расм).

Диодли оптроннинг қуйидаги асосий параметрларини кўрсатиш мумкин:

максимал кириш токи IКИР mах;

максимал кириш кучланиши Uкир mах;

максимал чиқиш тескари кучланиш UЧИК.теск. mах;

берилган токка мос келувчи ўзгармас кириш кучланиши UКИР;

чиқишдаги тескари қоронғулик токи IЧИК теск. к;

чиқиш сигналининг ортиб бориш tорт. ва камайиб бориш tкам. вақтлари (берилган диодли оптрон чиқишидаги сигнал ўзининг максимал қийматидан 0.1-0.9 ва 0.9-0.1 оралиқларда ўзгаради)  (8.6 - расм);

ток бўйича узатиш коэффициенти КI – чиқиш токи ўзгаришининг кириш токига нисбати КI = (IЧИК-IЧИК.теск.қ.)/IКИР.

Лабораторияда ўлчанадиган диодли оптрон чегаравий қийматлари ва чиқишларининг жойлашиши иловада келтирилган.

 

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:    

 

         Тадқиқ этилаётган оптрон принципиал схемасини ва чегаравий қийматларини ёзиб олинг.

 

2.1. Диодли оптрон характеристикасини тадқиқ этиш.

 

2.1.1. 8.7 – расмда келтирилган схемани йиғинг. Манбадан берилаётган чегаравий ток қийматини оптрон чегаравий қийматларига мос равишда ўрнатинг.

 

2.1.2.  Е1 ни ўзгартириб бориб, оптроннинг кириш характеристикаси  IКИР=f(UКИР) ни ўлчанг. Ёруғлик диоди киришидаги қаршилик R1 дан анча кичик бўлганлиги сабабли, кириш қаршилигини IКИР= E1/R1деб олинг.

 

8.7-расм

 

Ўлчаш натижаларини 8.1 – жадвалга киритинг.

 8.1 – жадвал

 

Е1, В

 

UКИР, В

 

IКИР= E1/R1, мА

 

 

2.1.3. Е2=0 деб олинг. Е1 ни ўзгартириб бориб, фотовольтаик режим учун оптрон узатиш характеристикасини IЧИҚ=f(IКИР) ўлчанг.

Ўлчаш натижаларини 8.2 – жадвалга киритинг.

 

 

 

 

8.2 – жадвал

 

Е1, В

 

UКИР, В

 

IКИР= E1/R1, мА

 

 

2.1.4. Е2=5 В ўрнатинг. 2.1.3 – банддаги ўлчашларни фотодиодли режим учун такрорланг. Ўлчаш натижаларини 8.2 – жадвалга ўхшаб, 8.3 – жадвалга киритинг.

8.3 – жадвал

 

Е1, В

 

UКИР, В

 

IКИР= E1/R1, мА

 

 

2.1.5. Оптрон чиқишидаги сигналнинг ортиб бориш tорт. ва камайиб бориш tкам. вақтларини ўлчанг.

 

8.8 – расмда келтирилган схемани йиғинг, ёруғлик диоди занжирига импульс генераторини уланг. Генратор чиқишида амплитудаси 5В ва частотаси 1кГц бўлган импульсни ўрнатинг. R2 қаршиликка 1:10 кучланиш бўлувчиси орқали осцилограф уланг. (Осцилографнинг бошқа каналидан генератор чиқишидаги импульс амплитудасини ўлчаш учун фойдаланинг). Е2=5 В ўрнатинг ва чиқиш токи осцилограммасидан  сигналнинг ортиб бориш tорт. ва камайиб бориш tкам. вақтларини ўлчанг.

Е2=0 ни ўрнатинг ва фотовольтаик режим учун вақт ўлчовларини такрорланг.

 

8.8-расм

 

 

2.2. Транзисторли оптрон характеристикаларини тадқиқ этиш.

8.9 – расмда келтирилган схемани йиғинг, Е2=5 В ўрнатинг. 

 

8.9-расм

 

 (Бу схемада оптрон фотодиоди ва ташқи транзистор фототранзисторни имитация қилади).

Е1 ни ўзгартириб бориб, IКИР=Е1/Р1 ва IЧИҚ=IК деб олиб,  транзисторли оптрон узатиш характеристикаси IЧИҚ=f(IКИР) ни ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 8.2, 8.3 жадвалларга ўхшаш тарзда 8.4 – жадвалга киритинг.

8.4 – жадвал

 

Е1, В

 

UКИР, В

 

IКИР= E1/R1, мА

 

 

3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш.

 

3.1. Оптрон кириш характеристикасини қуринг ва IКИР=10 мА қийматига мос келувчи кириш кучланиши Uкир қийматини аниқланг.

 

3.2. Диодли ва фотовольтаик режимлар учун оптрон узатиш характеристикаларини қуринг ва IКИР=10 мА қийматида ток бўйича узатиш коэффициентини KI  аниқланг.

 

3.3. Диодли оптронда сигнал тарқалишининг ўртача кечикиш вақтини ҳисоблаб топинг.

.

3.4. Транзисторли оптрон узатиш характеристикасини қуринг ва  IКИР=10 мА қийматида ток бўйича узатиш коэффициентини KI  аниқланг.

 

 

4. Ҳисобот мазмуни.

 

1) тадқиқ этилаётган оптрон чегаравий қийматлари ва принципиал схемаси;

2) ўлчаш схемалари;

3) ўлчанган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

4) ҳисоблаб топилган параметрлар;

5) ток ва кучланиш осцилограммалари.

5. Назорат саволлари:

1. Ички фотоэффект деб қандай ҳодисага айтилади ?

2. Диод фототоки ҳосил бўлиш жараёнини тушунтириб беринг. Бу жараённи қайси параметр изоҳлаб беради ?

3. Нима сабабли фототранзистор сезгирлиги фотодиод сезгирлигидан юқори?

4. Фотодиод инерционлиги сабаби нима ?

5. Фототранзистор инерционлигига сабаб нимада ?

6. Ёруғлик диоди ишлаш принципини тушунтириб беринг.

7. Нима учун оптронлар электр занжирларни ажратишда қўлланилади ?

 

9 - лаборатория  иши

 

БТ асосида яратилган кучайтиргич босқичини тадқиқ этиш

 

Ишнинг мақсади: Умумий эмиттер схемасида уланган биполяр транзисторда ясалган содда кучайтиргич босқичи параметрларини ўлчаш.

 

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш:  

 

Ишда 9.1- расмда кўрсатилган, умумий эмиттер схемада уланган биполяр транзисторда ясалган содда кучайтиргич босқичи параметрлари ўлчанади.

9.1-расм

Транзистор актив режимда ишлайди. RБ ва RK  резисторлар ўзгармас ток бўйича иш режимини таъминлайдилар. Бу вақтда RБ  ёрдамида база токининг ўзгармас ташкил этувчиси ўрантилади.

 

,                   (9.1)

 

демак, коллектор токи ҳам

 

,                 (9.2)

 

RK резистор коллектор токи ўзгарувчан ташкил этувчисини кучланиш манбаи орқали қисқа туташувдан ҳимоя қилади. RK>>RЮ бўлиши тавсия этилади. Бир вақтнинг ўзида RK катталиги коллектордаги кучланиш ўзгармас ташкил этувчисига таъсир кўрсатади, чунки

 

.                         (9.3)

 

Берилган EK ва RK  қийматларида ўзгармас ток бўйича транзистор ишчи нуқтаси иккита параметр билан эмас, балки битта параметр IБ (0) ёки IK(0) ёки UКЭ(0) орқали берилади. Ўлчашда UКЭ(0) дан фойдаланган қулай.

         Сигнал манбаи UГ ва юклама ўзгармас ток режимида  транзисторга таъсир кўрсатмаслиги учун, UБЭ(0)  ишчи диапазонда кичик қаршиликларга эга бўлган бўлувчи конденсаторлар  СБ ва СК уланиши керак.

Кучайтиргич босқичи асосий параметрларини ҳисоблаш учун қуйидаги формулалардан фойдаланиш мумкин:

 

;                             (9.4)

Бу ерда  ;  .

 

Эмиттер занжирида манфий тескари алоқа юзага келтирувчи RЭ резистор мавжуд бўлганда

 

;                                 (9.5)

 

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

 

2.1. Ўзгармас ток бўйича транзистор режимини ўрнатиш.  

 

2.1.1. 9.2 – расмда келтирилган схемани йиғинг (бу 9.1 – расмда келтирилган кучайтиргич босқичи схемасининг транзистор ишчи нуқтасини аниқловчи қисми).

 

9.2-расм

Е2 =10В

RK =3,3кОм

RБ =10-56кОм   ўрнатинг.

Ўзгармас ,   кучланишларни ўлчаш учун вольтметрларни уланг.

2.1.2. Е1 катталикни ўзгартириб бориб, (*) бўлган ҳол учун транзисторт ишчи нуқтасини танланг.

 кучланишни ўлчанг ва ўзгармас ташкил этувчиларини аниқланг.

 

База токи                                    (9.6)

коллектор токи                                     (9.7)

---------------------------------------------------------------------------------------

(*)  Реал схемаларда  Е1 = Е2 қилиб ҳамда мос RБ  катталиклари танланади

ва база токини статик узатиш коэффициенти  

                                      (9.8)

 

Ўлчаш ва ҳисоб натижаларини 9.1 – жадвалга киритинг.

 

2.1.3.  2.1.2- банддаги ўлчаш ва ҳисобларни бошқа  иккита ишчи нуқта учун такрорланг   (= 0,25E2 ва  = 0,75E2).

 9.1 - жадвал

 

UКЭ(0), В

2,5

5

7,5

Формула

Е1

 

 

 

 

UБЭ(0), В

 

 

 

 

IБ(0), мА

 

 

 

3.6

IК(0), мА

 

 

 

3.7

β

 

 

 

3.8

 

2.2. Кучайтиргич босқичи асосий параметрларини ўлчаш.

 

2.2.1. 9.3 – расмда келтирилган схемани йиғинг (олдинги бандда йиғилган схемани тўлдиринг).

 

9.3-расм

 

2.2.2. UКЭ(0) = 0,5Е2 ишчи нуқтани ўрнатинг (2.1.2 – бандга қаранг).

 

2.2.3. Вольтметрларни ўзгарувчан кучланишларни ўлчаш режимига ўтказинг.

Схема кириши ва чиқишига осцилограф уланг. Сигнал генераторидан  f=1000Гц частота ва Uгm амплитудага эга бўлган шундай синусоидал кучланиш  берингки, схеманинг чиқишида амплитудаси Uчиқ.m = Uкэm =1–2B га тенг бўлган ўзгарувчан кучланиш ҳосил бўлсин.

Осцилограф ёрдамида сигнал бузилишлари йўқлигига ишонч ҳосил қилинг. Кучайтиргич каскади чиқишидаги кучланиш фазаси киришга нисбатан инверсланаётганлигига ишонч ҳосил қилинг. Киришдаги ўзгарувчан кучланиш Uкир..m=Uбэm, чиқишдаги ўзгарувчан кучланиш Uчиқ..m=Uкэm ва (вольтметрни қайта улаб) генератор чиқишидаги Uгm кучланиш  амплитудаларини ўлчанг.

 

Ўлчаш натижаларини 9.2 – жадвалга киритинг.

 

2.2.4. Ўзгарувчан ташкил этувчиларнинг амплитудаларини ҳисобланг.

 

Кириш токи

,                       (9.9)

ва чиқиш токи

,                                 (9.10)

Ҳамда коллектор токи ўзгарувчан ташкил этувчиси

.                                        (9.11)

Ўлчашлар асосида кучайтириш коэффициентлари  қийматларини ҳисобланг.

Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти

,                                         (9.12)

ток бўйича кучайтириш коэффициенти

,                                          (9.13)

кириш қаршилиги

,                                    (9.14)

ва база токининг узатиш дифференциал коэффициенти

.                                              (9.15)

 

Натижаларни 9.2 – жадвалга киритинг.

 

2.2.5. Ўлчанган база токининг узатиш дифференциал коэффициенти учун кучланиш бўйича назарий кучайтириш коэффициенти (9.2) ва кириш қаршилиги (9.1) қийматларини ҳисобланг ва 9.2 – жадвалга киритинг

( r’Б = 100 Ом деб олинг).

9.2 - жадвал

 

UКЭ(0), В

0,25 Е2

0,5 Е2

0,75 Е2

Формула

UГm

 

 

 

 

Uкир..m

 

 

 

 

Uчиқ..m

 

 

 

 

Iкир..m

 

 

 

9.9

Iчиқ..m

 

 

 

9.10

IК.m

 

 

 

9.11

КI

 

 

 

9.13

h21Э

 

 

 

9.15

Rкир, кОм

 

 

 

ўлчанган. 9.14

 

 

 

ҳисобланган 9.4

КU

 

 

 

ўлчанган 9.12

 

 

 

ҳисобланган 9.2

 

2.2.6.   2.2.2-2.2.5 бандларда бажарилган ўлчаш ва ҳисобларни бошқа иккита ишчи нуқта (UКЭ(0) = 0,25Е2 ва UКЭ(0) = 0,75 Е2) учун такрорланг.

 

2.2.7. Уч нуқта ёрдамида боғлиқлик графикларини қуринг

 

                    ва  

 

Назарий ва тажрибада ўлчанган

 

                           

                           

                           

боғлиқликларни қуринг

 

UКЭ(0) кучланишга мос келувчи IK(0) қийматни 9.1 – жадвалдан олинг.

 

2.3. Кучайтиргич  босқичи ишига ташқи юклама таъсирини таҳлил қилиш.

9.2 ва 9.4 формулалардан фойдаланиб RЮ= 0,1; 1; 3,3; 4,7; 10 кОм қийматлар учун  боғлиқликни қуринг.

 

 

3. Ҳисобот мазмуни:

 

1) ўлчаш схемалари;

         2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;

         3) ўлчаш ва ҳисоблаш натижаларининг таҳлили.

 

4. Назорат саволлари.

 

1. БТли  содда кучайтиргич босқичи ишлаш принципини тушунтиринг.

2. БТли содда кучайтиргич босқичи ишчи нуқтасини қайси параметрлар белгилайди ?

3. Кучайтиргич дифференциал параметрларини келтиринг. Бу параметрлар тажрибада қандай ўлчанади ?

4. Паст частоталарда содда кучайтиригич босқичи кириш ва чиқиш қаршиликлари схеманинг қайси параметрларига боғлиқ ?

5. БТли  содда кучайтиргич босқичининг ток, кучланиш ва қувват бўйича кучайтириш коэффициентлари нималарга боғлиқ ?

6. Нима сабабли  БТли  содда кучайтиргич босқичи схемасида эмиттер занжирига Rэ резистор уланади ?

 

 

 

ИЛОВА

тадқиқ этиладиган электрон асбоблар ҳақидаги маълумотлар

И1. Тўғриловчи, импульсли ва юқори частота диодлар

Диод тури

Тузилиши

Iтўғ чег, мА

Uтеск чег, В

fmax, кГц

t тикл., мкс

D2 Е

Ge, нуқтавий

16

50

 

3

D2 Ж

Ge, нуқтавий

8

150

 

3

D7 Г

Ge, қотишмали

300

200

2,4

 

D7 Ж

Ge, қотишмали

300

400

2,4

 

D9 Е

Ge, нуқтавий

20

30

 

3

D104

Si, микроқотишмали

30

100

150

0,5

D226

Si, қотишмали

300

200

1,0

 

KD503  A

Si, планар -эпитаксиал

20

30

 

0,01

D312

Ge, диффузион

50

75

 

0,7

 

И2. Стабилитронлар ва стабисторлар

Диод

тури

Тузилиши

Uст, В

Icт min, мА

Icт max, мА

rD, Ом

D814 Б

Si, қотишмали

8...9,5

3

36

10

D814 D

Si, қотишмали

11,5...14,0

3

24

18

КС156 Т

Si, диффузион-қотишмали

5,6

1

22,4

100

D219 C

Si, микроқотишмали стабистор

0,57

1

50

 

KC113 A

Si, диффузион-қотишмали стабистор

1,17...1,8

1

100

80

 

И3. Биполяр транзисторлар

Транз. тури

Тузилиши

h21Э

fh21Э(fT), МГц

Iк.чег, мА

Uк.чег, В

Рк чег, мВт

tк, мкс

Ск

(10В), пФ

МП37Б

n-р-n, Ge, қотишмали

20-50

1,0

20

15

150

 

40

МП39Б

р-n-р, Ge, қотишмали

20-50

0,5   1,5

20

20

150

 

40

КТ315Б

n-р-n, Si, планар -эпитаксиал

50-350

(250)

100

20

150

0,5

7

КТ361Б

р-n-р, Si, планар -эпитаксиал

50-350

(250)

50

20

150

0,5

9

 

                    (ТР 2) МП 37,  МП 39                                (ТР 27)  КТ 315,  КТ 361                       

И4. Майдоний транзисторлар

 

Транз. тури

Тузилиши

Ic чег

(Ic бошл.)

Uси чег,

В

Рс чег, мВт

Сзи, пФ

Сзс, пФ

Сси, пФ

rк,

 Ом

Uберк, В

КП103И

n-р ўтишли

р-каналли

(0,8-1,8)

12

21

20

8

-

30

0,8-3

КП103Е

n-р ўтишли

р-каналли

(0,4-1,5)

10

7

20

8

-

50

0,4-1,5

КП103М

n-р ўтишли

р-каналли

(5-7,5)

10

120

20

8

-

60

3-5

КП301Б

р-МДЯ, канали

индуцияланган

15

20

200

3,5

1

3,5

100

-4

КП305Д

n-МДЯ, канали қурилган

15

15

150

5

0,8

5

80

-6

 

 

    (ТР 67) КП 103                               (ТР 69) КП 305                (ТР 71) КП 301

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К176ЛП1  КМДЯ тузилишли универсал мантиқий элемент (мос келувчи  коммутацияда учта ЭМАС элементи, катта тармоқланиш коэффициентига эга бўлган ЭМАС элементи, 3ҲАМ-ЭМАС элементи, 3ЁКИ-ЭМАС элементи ва триггерли ячейка сифатида қўлланилиши мумкин).

 

 

 

Асосий электр параметрлари

- кучланиш манбаи Uм=9В+5%

- мантиқий сигнал сатҳлари U0ЧИҚ £ 0,3В; U1ЧИҚ ³ 8,2В;

- истеъмол қилинаётган ток: 0,3 мА дан катта эмас;

- сигнал тарқалишининг ўртача кечикиш вақти £ 200 нс

- ишлаш қобилияти манба кучланиши 5Вгача пасайгунча сақланади.

- кириш сигналларининг рухсат этилган диапазони (0дан Uм гача).

 

 

 

 

АДАБИЁТЛАР

 

1. А.Г. Морозов. Электротехника, электроника и импульсная техника. – М.: Высшая школа, 1987.

 

2. А.Г, Алексенко, И.И. Шагурин. Микросхемотехника. – М.: Радио и связь, 1990.

 

3. Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. – М.: Высшая школа, 1991.

 

4. Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров. Аналоговая и цифровая электроника. – М.: Горячая линия – Телеком, 2003.

 

5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп.- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001.

 

6. Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратиров и др.; Под ред. проф. Н.Ф. Федорова. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учебное пособие для вузов.- М.: Радио и связь, 2002.

 

         7. Основы электроники: Учебное пособие / Х.К. Арипов, А.М. Абдуллаев, Н.Б. Алимова; – Ташкент: ИПТД им. Чулпана, 2007. – 136 с.    

 

МУНДАРИЖА

 

1.

Ўлчаш практикуми...........................................................................

3

2.

Яримўтказгичли германий ва кремний диодлари параметрлари ва характеристикаларини тадқиқ этиш...........................................

 

7

3.

Стабилитрон хараткеристикаси ва параметрларини тадқиқ этиш.....................................................................................................

 

12

4.

УБ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш..

15

5.

УЭ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш..

19

6.

МТ статик характеристикаларини  тадқиқ этиш............................

24

7.

МДЯ транзисторларнинг статик характеристикаларини  тадқиқ этиш....................................................................................................

 

30

8.

Оптронни тадқиқ этиш.....................................................................

33

9.

БТ асосида яратилган кучайтиргич босқичини тадқиқ этиш.......

39

 

Илова.................................................................................................

46

 

Адабиётлар…………………………………………………………

49

 

 

Ўқув нашри

2008-2009 ўқув йили

 

 

Хайрулла Кабилович Арипов

Нодира Батирджановна Алимова

Хабибулла Хамидович Бустанов

Жамила Мирхошимовна Мирхабибова

Мухаббат Рахматовна Алимова

 

 

 

ЭЛЕКТРОНИКА

 

 

 

5522200 “Телекоммуникация”

5522100 “Телевидение, радиоалоқа ва радиоэшиттириш”

5522000 “Радиотехника”

        йўналишларида таълим олаётган бакалаврлар учун

 

лаборатория ишлари учун

услубий кўрсатмалар

 

 

Нашрга рухсат берилди 2008 й. 12.09

Офсет қоғози. Буюртма № 125.  Босма.

Тираж 150 нусха

 

 

 

Тошкент ахборот технологиялари университети

(ТАТУ Илмий – услубий кенгашининг

      2008 йил 22 майдаги  №  9  - сонли баённомаси)

томонидан нашрга тавсия этилган

 

 

 

 

            Маъсул мухаррир:  Х.К. Арипов

 

            Мусаххих: Х.Х. Бустанов