|
Т Темновой ток электрический ток, существующий в фотоэлектронных приборах при отсутствии освещения их мишени {фотокатода). Т.т. играет роль фонового («ложного») светового сигнала и ограничивает чувствительность прибора.Термопластическая запись запись оптического изображения или электрических сигналов, несущих информацию об изображении, при которой на поверхности термопластического слоя образуется микрорельеф деформаций, отображающих записываемое изображение. Воспроизведение (считывание) записанного рельефного изображения может быть произведено как в свето-клапанных электронно-лучевых приборах с вязкой светомодули-рующей средой. Термопластический электронно-лучевой прибор светоклапанный электронно-лучевой прибор , в котором электрические сигналы, несущие информацию об оптическом изображении, модулируют отклоняемый электронный пучок и записываются в виде рельефа деформаций на термопластической мишени (см. Термопластическая запись ). Деформации возникают под действием электростатических сил между зарядами, приносимыми пучком на поверхность нагретого до 5О...6О°С термопластического слоя, и прозрачной проводящей подложкой. Этот слой нагревают тепловым излучением или пропусканием импульсного тока через подложку. При остывании полученный механический рельеф «замораживается» и может сохраняться длительное время. Воспроизведение записанного рельефного изображения производится с помощью светового потока от внешнего источника света и щелевой проекционной системы (см. Светоклапанный электронно-лучевой прибор ). Стирание производится в результате повторного нагрева мишени до температуры, более высокой, чем при записи. Разрешающая способность достигает 1600x1600 элементов при скорости записи около 40 мке одной строки. Принцип действия Т.э.-л.п. был впервые описан амер. ученым У.Э. Гленном в 1957. Термоэлектрические явления совокупность явлений, обусловленных взаимосвязью тепловых и электрических процессов в проводящих телах. К Т.я. в твердых проводниках относятся Зеебека эффект , Пельтье эффект и Томпсона эффект . Эффект Зеебека - это возникновение ЭДС (термоэде) в электрической цепи, состоящей из последовательно соединенных разнородных проводников, контакты которых находятся при разных температурах (открыт нем. физиком Т.И. Зеебеком в 1821). Когда цепь состоит из двух раз-Породных проводников - она называется термопарой или термоэлементом. Эффект объясняется тем, что при наличии перепада температуры вдоль проводника', на его «горячем» конце электроны имеют более высокие энергии, чем на «холодном». Поэтому в цепи возникает поток электронов от «горячего» конца к «холодному», приводящий к накоплению отрицательного заряда на «холодном» конце и нескомпенсиро-ванного положительного заряда на «горячем». Это основная составляющая называется объемной термоэдс. Возможен также вклад в термоэдс в случае полупроводников (зависимость концентрации носителей заряда и контактной разности потенциалов [К-46] от температуры). Эффект Пельтье обратен эффекту Зеебека. При пропускании электрического тока через контакт (спай) двух различных проводников или полупроводников на контакте выделяется тепло, дополнительно к джо-улеву, при одном направлении тока, и поглощается при обратном напряжении (открыт франц. физиком П.Ж. Пельтье в 1834). При переходе из. одного проводника в другой носители заряда либо передают избыточную энергию атомам (выделение тепла), либо пополняют недостаток энергии за их счет (поглощение тепла). Эффект Томпсона - это выделение или поглощение тепла в проводнике с током при наличии перепада (градиента) температуры вдоль этого проводника (предсказан англ. физиком У. Томпсоном (лорд Кельвин) в 1856). Эффект объясняется тем, что при переходе из более нагретого участка в более холодный электроны тормозятся, передавая избыточную энергию окружающим атомам (выделение тепла), а при движении в обратном направлении - ускоряются, пополняя свою энергию за счет энергии окружающих атомов (поглощение тепла). Термоэлектронная эмиссия испускание электронов нагретыми телами в вакуум или другую среду. Т.э. можно рассматривать как испарение электронов при их тепловом возбуждении. Скорости эмиттированных электронов имеют распределение Максвелла, соответствующее температуре Т. При одинаковой температуре сильнее эмиттируют тела с меньшей работой выхода. Исследование Т.э. возможно в случае введения в баллон электрода (коллектора или анода), к которому прикладывается напряжение по отношению к катоду. Получается вакуумный диод- [В-4]. Создавая ускоряющее поле между анодом и катодом, можно получить анодный ток. При некотором напряжении ?/„ток достигает максимального значения, называемого током насыщения /„. Зависимость тока от напряжения при UA Термоэлектронный катод катод электровакуумного прибора, действие которого основано на явлении термоэлектронной эмиссии. По способу нагрева различают Т.к. прямого накала, косвенного накала, с электронным подогревом и др. В зависимости от материала, технологии изготовления и др. признаков Т.к. разделяют на металлические (из чистого металла), пленочные металлические, оксидные, металлопористые и др. Термоэлемент прибор, основанный на использовании термоэлектрических явлений : Зеебека эффекта и Пельтье эффекта . Тетрод (от греч. tetra - четыре) электронная лампа с сеточным управлением, имеющая четыре электрода: катод , анод и две сетки. Первая сетка, ближайшая к катоду, -управляющая, вторая -экранирующая, более густая, чем управляющая. Т. предложен в 1919 нем. физиком В. Шотки (W. Schottky, 1886-1976) как усовершенствование триода , приведшее к повышению рабочих частот и коэффициента усиления. Впоследствии Т. заменен лучевыми тетродами и пентодами . Тиристор (от греч. thyra - дверь, вход) полупроводниковый прибор с многослойной структурой типа р-n-p-n, обладающий свойствами вентиля . Т., имеющий два вывода от крайних областей (катод и анод) называют неуправляемым Т., диодным Т. или динистором. Т., имеющий дополнительный вывод от одной из промежуточных областей (управляющий электрод) называют управпяемым Т., триодным Т. или тринистором. Вольт-амперная характеристика Т. имеет S-образный вид, т.е. содержит участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, Т. характеризуется двумя устойчивыми состояниями (закрытое и открытое). Внешним воздействием Т. можно переводить из одного состояния в другое и обратно. Впервые Т. с двумя выводами описан амер. ученым Дж. Молпом в 1956.Т-25 Токовый ключ (переключатель токов) электронное устройство, переключающее ток из одной электрической цепи в другую. Действие Т.к. основано на том, что под влиянием входного (управляющего) сигнала скачком изменяется сопротивление нелинейного элемента (диода, транзистора, тиристора, тиратрона и др.), подключенного к участку электрической цепи. Токопрохождение параметр, равный отношению силы тока электронного пучка, дошедшего до коллектора электровакуумного прибора , к силе тока у катода. Может составлять 95. ..99%. Томпсона эффект см. Термоэлектрические явления . Транзистор (от англ. transfer - переносить и резистора, как бы «преобразователь сопротивлений») полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) электрода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Различают биполярные Т. [Б-4] и лоле-вые Т. [П-36]. Т. является основным элементом современной микроэлектроники. Трех вторых закон то же, что Ленгмюра формула . Триггер (от англ. trigger) спусковое устройство с двумя или более устойчивыми состояниями, в которых оно может находиться произвольно долго, вплоть до воздействия на него внешнего сигнала. Т. имеет два выхода: прямой (основной) и инверсный. Каждому состоянию соответствуют определенные сигналы на его выходах, отличающиеся своим уровнем: если на основном выходе формируется сигнал высокого уровня, то на инверсном выходе - низкого, и наоборот. Тринистор см. Тиристор . Триод электронная лампас тремя электродами: термоэлектронным катодом , сеткой и анодом. Изменением потенциала сетки, называемой управляющей, можно управлять значением анодного тока . Этот принцип электростатического управления лег в основу работы большинства электровакуумных приборов . Изобретен g 1906 амер. инж. Л. де Форестом. Триод с магнитной фокусировкой разновидность триодас плоской или цилиндрической системой электродов, состоящей из сетки в виде двух параллельных рядов стержней, прямоугольного катода, также в виде стержней, находящихся против щелей в сетке, и анода. Система электродов размещается между полюсами магнита, так что направление магнитного поля совпадает с осью электронного пучка. Магнитное поле способствует снижению тока сетки и повышению КПД прибора. Трохотрон многоэлектродный электронно-лучевой прибор с ленточным электронным пучком, который формируется под действием взаимоперпендикулярных однородного постоянного магнитного поля, создаваемого внешним магнитом, и электрического поля, создаваемого электродами. В таких полях электроны движутся по трохоидам, центры которых лежат на эквипотенциальной линии, потенциал которой близок к потенциалу катода. Электрическое поле образуется между направляющим электродом («рельсом»), имеющим отрицательный относительно катода потенциал, и совокупностью электродов с положительным потенциалом: анода, выходных пластин и переключающих электродов («лопаток»). Лопатки располагаются перпендикулярно рельсу, а пластины находятся между лопатками (в камерах). Нулевая эквипотенциальная линия проходит от катода параллельно рельсу и уходит в дальнюю камеру (лопатка которой соединена с рельсом). В этом случае трохоидальная траектория электрона оканчивается на этой пластинке. Путем последующего понижения потенциала любой лопатки можно заставить пройти эквипотенциальную линию в камеру перед ней, т.е. электронный пучок направить на пластинку этой камеры и попучить на ее нагрузочном сопротивлении отрицательное напряжение, которое будет существовать пока не снято напряжение на лопатке. Т. позволяют создать коммутаторы на большое число каналов, пересчетные и др, схемы. Туннельная эмиссия то же, что Автоэлектронная эмиссия . Туннельный эффект проникновение микрочастицы сквозь потенциальный барьер в случае, когда ее полная энергия меньше высоты потенциального барьера. Квантово-механическое рассмотрение устанавливает определенную вероятность туннелирования сквозь барьер, притом она тем больше, чем меньше масса микрочастицы, чем тоньше потенциальный барьер и чем меньше разность между высотой потенциального барьера и энергией частицы . |